中芯南方集成电路制造有限公司刘中元获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072713B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111296334.4，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘中元设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述鳍部表面形成伪栅介质层；在所述伪栅介质层上形成横跨所述鳍部的伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅极和所述伪栅极侧壁的第一侧墙，所述伪栅极结构位于所述鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；在所述伪栅极结构两侧的鳍部内形成源漏层；在所述衬底和所述源漏层表面形成层间介质层，所述层间介质层还位于所述伪栅极结构侧壁，且暴露出所述伪栅极顶部表面；去除所述伪栅极和所述伪栅极底部的部分鳍部，在所述层间介质层内形成开口；在所述开口侧壁表面形成第二侧墙；形成所述第二侧墙后，在所述开口内形成栅极，减少漏电的发生概率，提高生产良率和器件性能的稳定性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底、位于所述基底上的鳍部和隔离结构，所述隔离结构位于所述鳍部部分侧壁，且所述隔离结构顶部表面低于所述鳍部顶部表面； 位于所述衬底上的层间介质层，所述层间介质层内具有开口，所述开口横跨所述鳍部，且位于部分所述鳍部内，所述开口底部表面低于所述鳍部的顶部表面； 位于所述开口侧壁和所述层间介质层之间的第一侧墙，所述第一侧墙横跨所述鳍部，且位于部分所述鳍部侧壁表面； 位于所述开口侧壁表面的第二侧墙，所述第二侧墙底部表面低于所述鳍部顶部表面； 位于所述开口内的栅极，栅极结构包括所述第一侧墙、所述第二侧墙和所述栅极； 位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源漏层。
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