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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所申请的专利DRAM存储单元电路及DRAM存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110453B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310192040.X，技术领域涉及：G11C11/4096；该发明授权DRAM存储单元电路及DRAM存储器是由汪令飞;卢年端;王桂磊;赵超;李泠设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本DRAM存储单元电路及DRAM存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种DRAM存储单元电路及DRAM存储器，通过设置读取控制组件和存储组件，存储组件包括第一晶体管，该第一晶体管的栅极用于存储数据，该存储数据由写入位线输入，通过不利用独立电容存储数据的设计方法，相比传统的存储电路单元具有更高的集成密度，极大节省传统技术中独立电容所带来的面积消耗，上述第一晶体管的漏极与上述读取控制组件电连接，在上述DRAM存储单元读取数据的情况下，通过上述读取控制组件的设置隔离了因上述读取存入位线电平变化产生的电势差，避免了使上述第一晶体管的栅极产生电势差，阻止了栅极内存储数据的因电势差产生的流失，相比于传统的存储单元设计，提供了更好的电荷隔离效果。

本发明授权DRAM存储单元电路及DRAM存储器在权利要求书中公布了：1.一种DRAM存储单元电路，其特征在于，包括： 读取控制组件，所述读取控制组件与读取位线电连接,所述读取位线与写入位线不共用，所述读取控制组件用于对所述读取位线的电平变化引起的电压差起到稳压作用； 存储组件，所述存储组件包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极用于存储数据； 所述第一晶体管的漏极与所述读取控制组件电连接，所述第一晶体管的源极接地； 所述DRAM存储单元电路还包括写入控制组件，所述写入控制组件与所述第一晶体管的栅极电连接，所述写入控制组件与所述写入位线电连接，所述写入控制组件与写入字线电连接，所述读取控制组件与读取字线电连接；所述写入控制组件用于对所述第一晶体管的栅极内部的栅电容的写入状态开启或关闭进行控制； 所述DRAM存储单元电路在准备阶段，所述写入字线处于低电平状态，所述读取字线处于低电平状态，在读取数据阶段，所述写入控制组件处于截止状态，在写入数据阶段，所述读取控制组件处于截止状态； 所述第一晶体管以及所述读取控制组件和所述写入控制组件中包含的晶体管为铟镓锌氧化物晶体管。

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