瑶芯微电子科技(上海)有限公司陈开宇获国家专利权
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龙图腾网获悉瑶芯微电子科技(上海)有限公司申请的专利一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110851B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211707824.3，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制作方法是由陈开宇;胡磊设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一半导体层；于半导体层中形成在水平方向上间隔交替排列的第一沟槽单元及第二沟槽单元，第一及第二沟槽单元分别包括至少一条第一沟槽、至少一条第二沟槽；于第一、第二沟槽中形成第一介质层、第一导电层、隔离层、第二介质层及第二导电层；于半导体层上形成源极及栅极，将第一沟槽及第二沟槽中的第一导电层及第二导电层分别与源极、栅极电连接。本发明的屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构在保持器件物理结构相同的基础上，改变器件内部电性互连结构，提高器件的热稳定性，从而提升器件的SOA性能，拓展屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构在负载开关、热插拔等技术领域的应用前景。
本发明授权一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体层； 于所述半导体层中形成在水平方向上间隔且交替排列的第一沟槽单元及第二沟槽单元，所述第一沟槽单元包括至少一条第一沟槽，所述第二沟槽单元包括至少一条第二沟槽，所述第一沟槽及所述第二沟槽均自所述半导体层的顶面开口，并往下延伸； 于所述第一沟槽及所述第二沟槽中形成第一介质层、第一导电层、隔离层、第二介质层及第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层上方并与所述第一导电层之间通过所述隔离层隔离，所述第一介质层位于沟槽内壁与所述第一导电层之间，所述第二介质层位于沟槽内壁与所述第二导电层之间； 于所述半导体层上形成源极及栅极，并将所述第一沟槽中的第一导电层及第二导电层分别与所述源极电连接，将所述第二沟槽中的第一导电层及第二导电层分别与所述栅极电连接。
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