中芯南方集成电路制造有限公司刘中元获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111321503.5，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘中元设计研发完成，并于2021-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述层间介质层内形成初始第一凹槽，所述初始第一凹槽暴露出所述源漏层顶部表面的第一刻蚀停止层；在所述层间介质层内形成初始第二凹槽，所述初始第二凹槽暴露出所述栅极表面的第一刻蚀停止层，且所述初始第二凹槽与所述初始第一凹槽相连通；刻蚀所述初始第一凹槽和所述初始第二凹槽暴露出的第一刻蚀停止层，以形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽暴露出所述源漏层表面，所述第二凹槽暴露出所述栅极，有利于控制刻蚀深度，减少对所述源漏层表面的过刻蚀的概率，从而提高所形成的器件的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底以及位于部分所述基底上的鳍部，所述鳍部沿第一方向延伸； 横跨所述鳍部的栅极，所述栅极沿第二方向延伸，且所述第二方向与所述第一方向相互垂直，所述栅极还位于所述鳍部的部分侧壁和顶部表面； 位于所述栅极一侧或两侧的鳍部内的源漏层； 位于所述衬底表面和所述栅极表面的第一刻蚀停止层，所述第一刻蚀停止层包括位于所述栅极表面的第一保护层、位于所述源漏层表面的第二刻蚀停止层，以及位于所述第二刻蚀停止层表面和所述第一保护层表面的第二保护层，所述第一保护层的厚度与所述源漏层表面的所述第二刻蚀停止层的厚度相同； 位于所述第一刻蚀停止层表面的层间介质层，所述层间介质层顶部表面高于所述栅极顶部表面。
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