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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种光谱宽度可切换的半导体激光器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116111453B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211697397.5，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权一种光谱宽度可切换的半导体激光器及其制作方法是由周寅利;宁永强;张建伟;张星设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光谱宽度可切换的半导体激光器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及了一种光谱宽度可切换的半导体激光器，激光器包括台面和位于台面中部的脊形波导，台面上从下至上依次包括N型电极层、衬底层、N型包层、N型波导层、有源层和P型波导层；脊形波导位于P型波导层的中部上端且脊形波导从下至上依次包括P型包层、P型盖层和P型电极；脊形波导的两侧为绝缘层且脊形波导一侧的绝缘层上包括周期性电极；当对周期性电极施加电流时，可通过调制分布在周期性电极区域内的光场而形成频率选择并使得激光谱宽变窄；当未对周期性电极施加电流时，激光器通过前后腔面振荡并具有宽谱激射特性。本方案还提供了一种光谱宽度可切换的半导体激光器的制作方法。

本发明授权一种光谱宽度可切换的半导体激光器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种光谱宽度可切换的半导体激光器，其特征在于，所述激光器包括台面13和位于台面13中部的脊形波导12，所述脊形波导12的两侧为绝缘层11且脊形波导12一侧的绝缘层11上包括周期性电极10；所述周期性电极10通过刻蚀绝缘层11并在激光器表面沉积图形化电极而形成；当对周期性电极10施加电流时，可形成周期性的载流子分布并使得周期性电极10区域的折射率呈现周期性分布，通过调制分布在周期性电极10区域内的光场而形成频率选择并使得激光谱宽变窄；当未对周期性电极10施加电流时，激光器通过前后腔面振荡并具有宽谱激射特性； 所述台面13上从下至上依次包括N型电极层1、衬底层2、N型包层3、N型波导层4、有源层5和P型波导层6；脊形波导12位于P型波导层6的中部上端，绝缘层11位于P型波导层6上端并位于脊形波导12的两侧；P型波导层6的一侧通过刻蚀绝缘层11并形成周期性电极10； 所述脊形波导12从下至上依次包括P型包层7、P型盖层8和P型电极9。

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