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电子科技大学吴双红获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种降低低维脂肪胺卤化物钙钛矿残余应力的钙钛矿薄膜制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116113288B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211680887.4,技术领域涉及:H10K71/12;该发明授权一种降低低维脂肪胺卤化物钙钛矿残余应力的钙钛矿薄膜制备方法是由吴双红;张浩林;刘晓东;姚翔铧;王浩宇设计研发完成,并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种降低低维脂肪胺卤化物钙钛矿残余应力的钙钛矿薄膜制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种降低低维卤化物钙钛矿残余应力的钙钛矿薄膜制备方法,该方法通过将一种芳香胺分子F‑PEA引入到低维脂肪胺卤化物钙钛矿中,极大的降低了低维钙钛矿在结晶过程中的残余应力,薄膜的机械稳定性得到有效提高。我们将这种方法制备的钙钛矿薄膜用于太阳能电池中的活性层,所得到的太阳能电池器件性能和稳定性都得到了极大的提升。

本发明授权一种降低低维脂肪胺卤化物钙钛矿残余应力的钙钛矿薄膜制备方法在权利要求书中公布了:1.一种降低低维脂肪胺卤化物钙钛矿残余应力的钙钛矿薄膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 1前驱体液制备; 将碘化铅PbI2、甲基碘化铵MAI、脂肪胺氢碘酸盐和2-4-氟苯基乙胺氢碘酸盐F-PEAI称取后溶解于二甲基甲酰胺DMF和二甲基亚砜DMSO的混合溶剂中,用磁力搅拌器加热搅拌过夜; 其中,碘化铅PbI2、甲基碘化铵MAI、2-4-氟苯基乙胺氢碘酸盐F-PEAI和脂肪胺氢碘酸盐的摩尔比为4:3:0.2:1.8;二甲基甲酰胺DMF和二甲基亚砜DMSO的溶剂体积比为9:1; 2基底预处理; 将氧化铟锡ITO导电玻璃依次在去离子水、乙醇、丙酮、乙醇中超声处理,后用氮气气枪吹干,最后进行紫外-臭氧处理; 3钙钛矿层制备; 将1中钙钛矿前驱体液旋涂在2中预处理完毕的基片上,而后退火处理5min。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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