高通股份有限公司晶昌镐获国家专利权
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龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利伪三端口SRAM数据路径获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116114017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180062528.X，技术领域涉及：G11C8/16；该发明授权伪三端口SRAM数据路径是由晶昌镐;A·B·帕勒拉;郑春明设计研发完成，并于2021-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本伪三端口SRAM数据路径在说明书摘要公布了：一种伪三端口存储器设置有读取数据路径和写入数据路径。该伪三端口存储器包括多个伪三端口位单元，每个伪三端口第一位单元具有被耦合到第一位线的第一读取端口、被耦合到第二位线的第二读取端口、以及被耦合到第一位线和第二位线的写入端口。
本发明授权伪三端口SRAM数据路径在权利要求书中公布了：1.一种存储器，包括： 用于第一上部列的第一位线； 用于所述第一上部列的第二位线； 其中所述第一上部列包括多个第一位单元，每个第一位单元具有被耦合到所述第一位线的第一读取端口、被耦合到所述第二位线的第二读取端口、以及被耦合到所述第一位线和所述第二位线的写入端口； 用于第一下部列的第一位线； 用于所述第一下部列的第二位线； 其中所述第一下部列包括多个第二位单元，每个第二位单元具有被耦合到用于所述第一下部列的所述第一位线的第一读取端口、被耦合到用于所述第一下部列的所述第二位线的第二读取端口、以及被耦合到用于所述第一下部列的所述第一位线和用于所述第一下部列的所述第二位线的写入端口； 第一全局读取位线； 第二全局读取位线； 第一逻辑门，具有被耦合到用于所述第一上部列的所述第一位线的第一输入、被耦合到用于所述第一下部列的所述第一位线的第二输入以及被耦合到所述第一全局读取位线的输出；以及 第二逻辑门，具有耦合到用于所述第一上部列的所述第二位线的第一输入、被耦合到用于所述第一下部列的所述第二位线的第二输入以及被耦合到所述第二全局读取位线的输出。
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