甬江实验室微谱(浙江)技术服务有限公司高钟伟获国家专利权
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龙图腾网获悉甬江实验室微谱(浙江)技术服务有限公司申请的专利一种粗糙表面半导体材料掺杂元素的检测方法及应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116124872B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211544139.3,技术领域涉及:G01N27/64;该发明授权一种粗糙表面半导体材料掺杂元素的检测方法及应用是由高钟伟;吴杰;侯小刚;贾梦虹设计研发完成,并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种粗糙表面半导体材料掺杂元素的检测方法及应用在说明书摘要公布了:本发明涉及材料检测技术领域,尤其涉及IPCG01N27领域,进一步的,涉及一种粗糙表面半导体材料掺杂元素的检测方法及应用。包括以下步骤:S1、选择离子源;S2、将样品放置于二次离子质谱仪的样品室中,并抽真空;S3、一次光路调整;S4、二次光路调整;S5、设置测试条件;S6、测试样品。本发明中通过一次光路调整和二次光路调整,使束斑具有良好的聚焦,在提高检测结果灵敏度、准确度的同时提高了检测结果的精密度。
本发明授权一种粗糙表面半导体材料掺杂元素的检测方法及应用在权利要求书中公布了:1.一种粗糙表面半导体材料掺杂元素的检测方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、选择离子源; S2、将样品放置于二次离子质谱仪的样品室中,并抽真空; S3、一次光路调整:所述S3中一次光路调整包括以下步骤: 1调整束流强度; 2调整两个束斑的中心重合; 3消除色散或者使束斑在色散居中; 4调整透射透镜L4孔隙预设值,重复2,使束斑中心不变; 5调整离子源孔隙预设值,使束流强度最大; 6调整束斑位置使束斑居中,打开光栅; S4、二次光路调整:所述S4中二次光路调整包括以下步骤: 1使图像和束斑的中心在同一点; 2在狭缝模式下,改变配对透镜,通过调整静电分析器和质量数使得改变配对电镜时图像的中心保持不变; 3调节出射狭缝; 4调节入射狭缝; 5获取对比缝隙值; 6调整视场缝隙值; S5、设置测试条件; S6、测试样品。
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