量子科技长三角产业创新中心郑伟文获国家专利权
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龙图腾网获悉量子科技长三角产业创新中心申请的专利一种超导量子芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133512B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310067195.0，技术领域涉及：H10N60/82；该发明授权一种超导量子芯片及其制备方法是由郑伟文设计研发完成，并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超导量子芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超导量子芯片及其制备方法，应用于量子计算技术领域，包括衬底；衬底设置有至少两条从一表面延伸至另一表面的通孔，通孔内填充有超导材料，形成连接通道；位于衬底一表面的共面波导结构；共面波导结构包括在衬底表面相互分离的至少两个端部，共面波导结构的一端部与一连接通道的端部相接触，共面波导结构的另一端部与另一连接通道的端部相接触；位于衬底另一表面的超导层，超导层与至少两条连接通道的端部相接触；同一超导层接触的连接通道，与同一共面波导结构相接触。通过衬底内部的连接通道将共面波导结构跟超导层链接，可以起到空气桥的作用，同时避免共面波导结构跟超导层之间的干扰，且具有极高的结构强度。
本发明授权一种超导量子芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超导量子芯片，其特征在于，包括： 衬底；所述衬底包括相对的两个表面，所述衬底设置有至少两条从一所述表面延伸至另一所述表面的通孔，所述通孔内填充有超导材料，形成连接通道； 位于所述衬底一表面的共面波导结构；所述共面波导结构包括在所述衬底表面相互分离的至少两个端部，所述共面波导结构的一端部与一所述连接通道的端部相接触，所述共面波导结构的另一端部与另一所述连接通道的端部相接触； 位于所述衬底另一表面的超导层，所述超导层与至少两条所述连接通道的端部相接触；同一所述超导层接触的连接通道，与同一所述共面波导结构相接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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