中芯北方集成电路制造(北京)有限公司张思宇获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种平面闪存器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156887B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111383405.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种平面闪存器件的形成方法是由张思宇;李志国;刘玉丽;郭得亮;隋振超设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种平面闪存器件的形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种平面闪存器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区域之间的半导体衬底中形成第一沟槽；在所述第一区域的半导体衬底中形成若干第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中以及半导体衬底表面沉积隔离材料，所述隔离材料表面高于所述半导体衬底表面设定高度，所述设定高度为所述平面闪存器件的有效场高度；在所述第一隔离结构表面和所述第二隔离结构表面形成牺牲层；在所述半导体衬底表面形成表面与所述牺牲层共面的介质层；去除所述牺牲层。所述平面闪存器件的有效场高度是通过化学机械研磨工艺形成的，可以提高有效场高度均匀性，改善隔离结构表面形貌。
本发明授权一种平面闪存器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种平面闪存器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域为存储区，所述第二区域为外围电路区； 在所述第一区域和第二区域之间的半导体衬底中形成第一沟槽； 在所述第一区域的半导体衬底中形成若干第二沟槽，所述第二沟槽的深度小于所述所述第一沟槽的深度，且所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度； 在所述第一沟槽和所述第二沟槽中以及半导体衬底表面沉积隔离材料，所述隔离材料表面高于所述半导体衬底表面设定高度，其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽对应位置的隔离材料分别形成第一隔离结构第二隔离结构，其中，所述设定高度为所述平面闪存器件的有效场高度； 在所述第一隔离结构表面和所述第二隔离结构表面形成牺牲层并去除所述半导体衬底表面上的所述隔离材料； 在所述半导体衬底表面形成表面与所述牺牲层共面的介质层； 去除所述牺牲层。
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