北京邮电大学桂丽丽获国家专利权
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龙图腾网获悉北京邮电大学申请的专利一种基于Fano共振的硅超构表面单元及超构表面获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116224677B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310238034.3，技术领域涉及：G02F1/35；该发明授权一种基于Fano共振的硅超构表面单元及超构表面是由桂丽丽;谢海伦;刘怡雯;林凤斌;徐坤设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于Fano共振的硅超构表面单元及超构表面在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于Fano共振的硅超构表面单元及超构表面，所述基于Fano共振的硅超构表面单元包括单元基体和两个基体凸肋；所述基体凸肋设置于所述单元基体的侧面，所述基体凸肋由所述单元基体上表面延伸至下表面，两个所述基体凸肋之间设置有第一基体缺陷，两个所述基体凸肋两侧均设置有第二基体缺陷。所述基于Fano共振的硅超构表面包括阵列设置的多个所述基于Fano共振的硅超构表面单元。本方案的每个基于Fano共振的硅超构表面单元均设置有三个基体缺陷，通过构造缺陷，打破硅立方体结构的对称性，诱导亮暗模间的弱耦合，产生尖锐的Fano共振，实现大的局域近场增强，进而极大增强双光子吸收响应。
本发明授权一种基于Fano共振的硅超构表面单元及超构表面在权利要求书中公布了：1.一种基于Fano共振的硅超构表面单元，其特征在于，所述基于Fano共振的硅超构表面单元包括单元基体和两个基体凸肋，在所述硅超构表面单元的俯视平面，所述单元基体与基体凸肋相连接的边的边长为所述单元基体的宽度，所述单元基体的宽度为340nm，所述单元基体的高度为295nm； 所述基体凸肋设置于所述单元基体的侧面，所述基体凸肋由所述单元基体上表面延伸至下表面，两个所述基体凸肋之间设置有第一基体缺陷，两个所述基体凸肋两侧均设置有第二基体缺陷。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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