奈盾科技股份有限公司陈纪文获国家专利权
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龙图腾网获悉奈盾科技股份有限公司申请的专利半导体缺陷修复装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230580B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211447820.6，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权半导体缺陷修复装置及方法是由陈纪文;李纯怀设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体缺陷修复装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体缺陷修复装置及方法，其是通过使反应气体通入具有特定温度及特定压力的第一腔体中，以使在第一腔体内的半导体元件可在较低温环境下进行缺陷修复工艺，并通过第二腔体的设置，避免反应气体外漏至环境中。
本发明授权半导体缺陷修复装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体缺陷修复装置，其特征在于，包括： 腔体外壳，具有开口与多个加热装置； 闸门件，设置于该开口，且该闸门件包含： 本体； 第一凸缘，连接该本体的顶部，该第一凸缘的外表面与该腔体外壳的内表面重叠，其中该本体、该第一凸缘与该腔体外壳形成第一腔体，且该第一腔体是配置以容纳至少一个半导体元件； 至少一个第一密封件，设于该第一凸缘的顶面； 第二凸缘，连接该本体的侧部，并低于该第一凸缘，该第二凸缘的外表面与该腔体外壳的内表面重叠，其中该本体、该第二凸缘、该第一凸缘与该腔体外壳形成第二腔体，且平行于该第二凸缘的凸伸方向上，所述多个加热装置不重叠于该第二腔体；及 至少一个第二密封件，设于该第二凸缘的顶面； 第一进气管，连接该第一腔体，且配置以通入反应气体至该第一腔体内；以及 第一泄气管，连接该第一腔体，且配置以释放该第一腔体内的气体组分及或该反应气体；其中 所述凸伸方向是通过从所述本体的一部分向所述腔体外壳凸伸而形成所述第二凸缘的方向。
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