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龙图腾网获悉苏州立琻半导体有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310063841.6，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权半导体器件是由徐在元设计研发完成，并于2017-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：根据实施例的半导体器件可以包括：衬底；第一发光结构和第二发光结构，其被布置在衬底上；第一反射电极，其被布置在第一发光结构上；第二反射电极，其被布置在第二发光结构上；连接电极；第一电极焊盘；以及第二电极焊盘。根据实施例，第一发光结构可以包括：第一导电类型的第一半导体层；第一有源层，其被布置在第一半导体层上；第二导电类型的第二半导体层，其被布置在第一有源层上；以及第一通孔，其通过第二半导体层和第一有源层延伸并且暴露第一半导体层。第二发光结构与第一发光结构间隔开，并且可以包括：第一导电类型的第三半导体层、布置在第三半导体层上的第二有源层、以及布置在第二有源层上的第二导电类型上的第四半导体层。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底； 第一发光结构，所述第一发光结构被布置在所述衬底上，所述第一发光结构包括第一导电类型的第一半导体层；第一有源层，所述第一有源层被布置在所述第一半导体层上；以及第二导电类型的第二半导体层； 第二发光结构，所述第二发光结构被布置在所述衬底上并且与所述第一发光结构间隔开，所述第二发光结构包括第一导电类型的第三半导体层；第二有源层，所述第二有源层被布置在所述第三半导体层上；以及第二导电类型的第四半导体层； 连接电极，所述连接电极被电连接到所述第一发光结构的第二半导体层和所述第二发光结构的第三半导体层； 所述连接电极包括：主电极；第一分支电极，所述第一分支电极被直接连接到所述主电极；第二分支电极，所述第二分支电极从所述第一分支电极的端部延伸；以及第三分支电极，所述第三分支电极从所述第一分支电极的另一端部延伸； 其中，所述主电极的第一区域被布置在所述第二半导体层上，并且所述主电极的第二区域被布置在所述第一发光结构的侧表面和所述第二发光结构的侧表面之间；以及 其中，所述第一分支电极、所述第二分支电极和所述第三分支电极被布置在所述第三半导体层上； 第一电极焊盘，所述第一电极焊盘被布置在所述第一发光结构上并且被电连接到所述第一半导体层；以及 第二电极焊盘，所述第二电极焊盘被布置在所述第二发光结构上并且被电连接到所述第四半导体层， 第一反射电极，布置在所述第一发光结构的所述第二导电类型的第二半导体层上， 第二反射电极，布置在所述第二发光结构的所述第二导电类型的第四半导体层上， 其中，所述第一发光结构包括多个第一通孔，所述第一通孔穿过所述第一有源层和所述第二导电类型的第二半导体层以暴露所述第一导电类型的第一半导体层， 其中，所述半导体器件包括第一绝缘层，所述第一绝缘层包括用于暴露所述第三半导体层的上表面的接触区域， 其中，所述连接电极通过所述接触区域与所述第三半导体层点接触电连接。

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