杭州极弱磁场重大科技基础设施研究院师泯夏获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州极弱磁场重大科技基础设施研究院申请的专利一种基于磁屏蔽技术的片状消磁装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116313378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310066504.2,技术领域涉及:H01F13/00;该发明授权一种基于磁屏蔽技术的片状消磁装置是由师泯夏;王玲;郑世强;马建;王坤;张旭设计研发完成,并于2023-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于磁屏蔽技术的片状消磁装置在说明书摘要公布了:本发明涉及消磁装置技术领域,特别是涉及一种基于磁屏蔽技术的片状消磁装置,包括磁屏蔽箱,相对的两侧壁上均开设有通孔;若干消磁线组,每个消磁线组的两端位于其中一个通孔处,每个消磁线组的中部穿过另一通孔;若干消磁线组顺序首尾相连,位于首位的消磁线组的首端引出通孔,位于末位的消磁线组的末端引出通孔,消磁线组与磁屏蔽箱的内壁以及外壁贴合;片状磁屏蔽材料,贴附在磁屏蔽箱的内侧壁上。本发明不仅解决了不同材料磁屏蔽样片消磁难题,还能解决大型磁屏蔽装置门框处与屏蔽房整体有一定距离,且反复受应力作用的磁屏蔽层长时间使用后消磁不均匀的问题。
本发明授权一种基于磁屏蔽技术的片状消磁装置在权利要求书中公布了:1.一种基于磁屏蔽技术的片状消磁装置,其特征在于,包括: 磁屏蔽箱1,相对的两侧壁上均开设有通孔3; 若干消磁线组,每个所述消磁线组的两端位于其中一个所述通孔3处,每个所述消磁线组的中部穿过另一所述通孔3;若干所述消磁线组顺序首尾相连,位于首位的所述消磁线组的首端引出所述通孔3,位于末位的所述消磁线组的末端引出所述通孔3,所述消磁线组与所述磁屏蔽箱1的内壁以及外壁贴合; 片状磁屏蔽材料2,贴附在所述磁屏蔽箱1的内侧壁上; 所述消磁线组的数量为四个,所述消磁线组包括消磁线4,第一个所述消磁线4包括第一输入端I1、第一输出端O1,第二个所述消磁线4包括第二输入端I2、第二输出端O2,第三个所述消磁线4包括第三输入端I3、第三输出端O3,第四个所述消磁线4包括第四输入端I4、第四输出端O4,所述第一输入端I1、第一输出端O1、第二输入端I2、第二输出端O2、第三输入端I3、第三输出端O3、第四输入端I4、第四输出端O4均位于所述通孔3处,所述第一输入端I1与所述第二输出端O2电性连接,所述第二输入端I2与所述第三输出端O3电性连接,所述第三输入端I3与所述第四输出端O4电性连接,所述第四输入端I4与所述第一输出端O1引出所述通孔3; 四个所述消磁线4分别位于所述磁屏蔽箱1相互平行的四边处,所述消磁线4与所述磁屏蔽箱1的内壁以及外侧贴合; 两所述通孔3同轴设置; 所述磁屏蔽箱1的内壁设置为光滑面,所述片状磁屏蔽材料2与所述磁屏蔽箱1的内壁之间不存在间隙,所述片状磁屏蔽材料2位于所述磁屏蔽箱1内靠近所述通孔3的侧壁上。
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