电子科技大学陈飞良获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于多层薄膜的水平结构纳米空气沟道晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313690B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211455190.7，技术领域涉及：H01J1/304；该发明授权基于多层薄膜的水平结构纳米空气沟道晶体管是由陈飞良;李沫;张健;姜昊;杨帆;王佳超;马培胜;李晓旭设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于多层薄膜的水平结构纳米空气沟道晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于多层薄膜的水平结构纳米空气沟道晶体管，属于晶体管技术领域。包括绝缘衬底，设置于其正面的多层薄膜阴极、阳极，阴极和阳极之间构成纳米空气沟道；多层薄膜阴极由导电薄膜和绝缘薄膜交错层叠构成；阳极由导电材料构成，或者由导电薄膜和绝缘薄膜交错层叠构成；多层薄膜阴极和多层薄膜阳极的一侧还设置有导电侧壁，用于各导电薄膜层之间实现电连接。本发明通过多层薄膜锐利边缘结构获得较大的场增强因子，并利用多层薄膜串联发射有效增大晶体管的场发射电流，同时由于垂直刻蚀或腐蚀工艺可以较为容易地实现90度侧壁，保持多层薄膜中每层发射结构的全同性，实现多层薄膜串联下同时发射电子以保持稳定的发射电流。
本发明授权基于多层薄膜的水平结构纳米空气沟道晶体管在权利要求书中公布了：1.一种基于多层薄膜的水平结构纳米空气沟道晶体管，其特征在于：包括绝缘衬底、多层薄膜阴极、阳极； 所述多层薄膜阴极、阳极设置于绝缘衬底正面，且多层薄膜阴极和阳极之间构成纳米空气沟道； 所述多层薄膜阴极，由导电薄膜和绝缘薄膜交错层叠构成，且所述多层薄膜阴极的底层薄膜和顶层薄膜均为导电薄膜；所述多层薄膜阴极背向阳极的一侧设置有导电侧壁，用于各导电薄膜层之间实现电连接； 所述阳极由导电材料构成，或者由导电薄膜和绝缘薄膜交错层叠构成的多层薄膜阳极；所述多层薄膜阳极的底层薄膜和顶层薄膜均为导电薄膜，背向阴极的一侧设置有阳极导电侧壁，用于各导电薄膜层之间实现电连接。
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