上海科技大学高珍获国家专利权
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龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利一种在单晶硅表层植入氧原子的方法及硅纳米沟道的制备方法和检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310435228.2，技术领域涉及：H10P32/14；该发明授权一种在单晶硅表层植入氧原子的方法及硅纳米沟道的制备方法和检测方法是由高珍;张超;王宏达设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在单晶硅表层植入氧原子的方法及硅纳米沟道的制备方法和检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种在单晶硅表层植入氧原子的方法及硅纳米沟道的制备方法和检测方法。植入氧原子的方法包括：将表面镀有氧化物层的单晶硅进行氦离子辐照并直写图形，氧化物层中的氧原子受氦离子动能转移被牵引植入单晶硅表层形成氧化硅。硅纳米沟道的制备方法步骤包括：1采用在单晶硅表层植入氧原子的方法获得氦离子束直写图形后的氧化硅图形；2对氧化硅图形进行化学湿法刻蚀。本发明英文名称为siliconhighaspectnano‑groovesviaHe+annealingimplantation，简称SHANG‑HAI工艺。检测方法：在化学湿法刻蚀之前，采用镓离子束刻蚀出氧化硅图形的垂直截面。本发明能够在单晶硅表面加工制备出线宽只有10nm或更小，深宽比达10或以上的硅纳米沟道。
本发明授权一种在单晶硅表层植入氧原子的方法及硅纳米沟道的制备方法和检测方法在权利要求书中公布了：1.一种硅纳米沟道的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1在单晶硅表层植入氧原子，包括如下步骤：将表面镀有氧化物层的单晶硅进行氦离子束辐照并直写图形，氧化物层中的氧原子受氦离子动能转移被牵引植入单晶硅表层形成氧化硅；采用在单晶硅表层植入氧原子的方法获得氦离子辐照并直写的氧化硅图形；所述氧化物层的厚度为2~50nm；所述氦离子束的辐照总剂量为5~15pCμm； 2对步骤1得到的氧化硅图形进行化学湿法刻蚀，在刻去氧化硅图形和氧化物层后得到所述硅纳米沟道。
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