上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司吴星鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利一种晶圆翘曲度调整方法、装置、设备及可读存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116313914B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310279767.1,技术领域涉及:H10P72/00;该发明授权一种晶圆翘曲度调整方法、装置、设备及可读存储介质是由吴星鑫设计研发完成,并于2023-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆翘曲度调整方法、装置、设备及可读存储介质在说明书摘要公布了:本申请公开了一种晶圆翘曲度调整方法、装置、设备及可读存储介质,承载平台分为的各平台区域的吸附力大小独立控制,方法包括:当晶圆在承载平台上薄膜沉积后,获取晶圆中各对应晶圆区域的翘曲度参数;根据各晶圆区域的翘曲度参数确定各平台区域的吸附力;当下一片晶圆在承载平台上沉积薄膜时,根据各平台区域的吸附力对各平台区域的吸附力进行控制,以使薄膜沉积后的晶圆中的各晶圆区域的翘曲度参数位于预设范围内。本申请公开的技术方案,通过在晶圆沉积薄膜时根据上一片晶圆沉积薄膜后各区域的翘曲度参数来对各平台区域的吸附力进行独立控制而实现对晶圆不同区域、不同方向翘曲度进行动态调节,以满足翘曲度的稳定,从而提高翘曲度调整效果。
本发明授权一种晶圆翘曲度调整方法、装置、设备及可读存储介质在权利要求书中公布了:1.一种晶圆翘曲度调整方法,其特征在于,用于承载晶圆的承载平台分为多个平台区域,各所述平台区域的吸附力大小独立控制,所述晶圆翘曲度调整方法包括: 当待处理晶圆在所述承载平台上完成薄膜沉积后,获取所述待处理晶圆中与各所述平台区域对应的晶圆区域的翘曲度参数;通过沉积的薄膜提供拉应力,进行翘曲度调整; 根据预先确定出的翘曲度参数与吸附力大小的对应关系、各所述晶圆区域的翘曲度参数,确定各所述平台区域的吸附力大小;其中,所述对应关系通过采用先进过程控制方法多次运行根据上一片待处理晶圆在沉积薄膜后各晶圆区域的翘曲度参数调整各所述平台区域的吸附力大小进行确定; 当下一片待处理晶圆在所述承载平台上沉积薄膜时,根据确定出的各所述平台区域的吸附力大小对各所述平台区域的吸附力进行控制,以使薄膜沉积后的晶圆中的各晶圆区域的翘曲度参数位于预设范围内,包括: 将下一片待处理晶圆作为当前待处理晶圆,当所述当前待处理晶圆在所述承载平台上沉积薄膜时,根据确定出的各所述平台区域的吸附力大小对各所述平台区域的吸附力进行控制; 当所述当前待处理晶圆完成薄膜沉积后,获取所述当前待处理晶圆中与各所述平台区域对应的晶圆区域的翘曲度参数; 判断所述当前待处理晶圆中各所述晶圆区域的翘曲度参数是否位于所述预设范围内; 若否,则根据所述当前待处理晶圆中各所述晶圆区域的翘曲度参数,确定各所述平台区域的吸附力大小,并返回执行所述将下一片待处理晶圆作为当前待处理晶圆的步骤,直至所述当前待处理晶圆中各所述晶圆区域的翘曲度参数位于所述预设范围内。
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