深圳市创芯微微电子股份有限公司文秀茹获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市创芯微微电子股份有限公司申请的专利一种金属氧化物半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314255B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211606401.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种金属氧化物半导体结构及其制作方法是由文秀茹;夏亮;杨小华设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属氧化物半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属氧化物半导体结构及其制作方法，包括提供第一半导体类型的衬底；在衬底表面依次形成至少两层外延层，各个外延层内注入有深能级杂质离子，用以形成深能级复合中心；各个外延层的部分区域中设置有柱区，在最顶层的外延层上形成栅极结构；向最顶层的外延层表面内注入第一离子，形成第一源区和第二源区；在第一源区和第二源区下方形成体区；在第一源区上形成源极，在第二源区上方形成漏极。本发明的金属氧化物半导体结构在正常工作时能够引起晶体原子位移而在各个外延层产生深能级的复合中心，从而引起少数载流子寿命和载流子浓度的降低，达到减小半导体结构的反向恢复时间的目的，改善半导体器件的寄生体二极管反向恢复特性。
本发明授权一种金属氧化物半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一半导体类型的衬底； 在所述衬底表面依次形成至少两层外延层，各个外延层的半导体类型为第一半导体类型，各个所述外延层内注入有深能级杂质离子，用以形成深能级复合中心；各个所述外延层的部分区域中设置有柱区，所述柱区的半导体类型为第二半导体类型；其中，在每层所述外延层的制作过程中均以离子注入的方式注入所述深能级杂质离子，使每一层所述外延层中均含有所述深能级杂质离子； 在最顶层的外延层上形成栅极结构；向最顶层的外延层表面内注入第一离子，形成第一源区和第二源区；在所述第一源区和第二源区下方形成体区；在所述第一源区上形成源极，在所述第二源区上方形成漏极。
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