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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利基于飞跨电容型三电平boost的单相逆变器及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116317499B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211717470.0，技术领域涉及：H02M1/14；该发明授权基于飞跨电容型三电平boost的单相逆变器及控制方法是由张岩;高晓阳;于博洋;刘进军设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于飞跨电容型三电平boost的单相逆变器及控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具备有源功率解耦功能的两级式单相逆变器电路及控制方法，属于电力技术领域，单相逆变器电路包括：前级飞跨电容型三电平boost和后级逆变桥；所述前级飞跨电容型三电平boost包括输入直流电源Vdc、电感L、MOSFET功率管Qa、MOSFET功率管Qb、二极管Da、二极管Db、缓冲电容Cf、直流母线电容Co；所述后级逆变桥包括全控逆变桥、滤波电感Lac、滤波电容Cac和负载电阻R；全控逆变桥的输入端接直流母线电容Co；本发明不仅抑制了输入电感电流上的二倍频纹波且控制了直流母线上的电容电压纹波，避免了电解电容的使用，实现将电解电容置换为薄膜电容，有助于提高功率密度，提高变换器使用寿命，提高系统可靠性。

本发明授权基于飞跨电容型三电平boost的单相逆变器及控制方法在权利要求书中公布了：1.基于飞跨电容型三电平boost的单相逆变器的控制方法，其特征在于，单相逆变器包括：前级飞跨电容型三电平boost和后级逆变桥； 所述前级飞跨电容型三电平boost包括输入直流电源Vdc、电感L、MOSFET功率管Qa、MOSFET功率管Qb、二极管Da、二极管Db、缓冲电容Cf、直流母线电容Co，所述输入直流电源Vdc的正极接输入电感L的一端，电感L的另一端接二极管Da的阳极与MOSFET功率管Qa的漏极；二极管Da的阴极与缓冲电容Cf的正极和二极管Db的阳极相连；MOSFET功率管Qa的源极与MOSFET功率管Qb的漏极相连；MOSFET功率管Qb的源极接直流电源Vdc的负极与直流母线电容Co的负极；缓冲电容Cf的负极接MOSFET功率管Qa的源极；直流母线电容Co的正极接二极管Db的阴极；直流母线电容Co接全控逆变桥的输入端； 所述后级逆变桥包括全控逆变桥、滤波电感Lac、滤波电容Cac和负载电阻R；全控逆变桥的输入端接直流母线电容Co；全控逆变桥的正极输出接有电感Lac的正极，全控逆变桥的负极输出接交流侧的公共地；电容Cac与负载电阻R并联，一端接电感Lac的负极，另一端接交流侧的公共地； 所述控制方法，包括： 将输入电感L上的二倍频纹波控为0，直流母线电容Co上的二倍频纹波控为0，利用缓冲电容Cf吸收系统内的二倍频纹波能量； 还包括对功率级电路耦合部分的解耦运算，具体包括： 是直流母线电压稳态平均值的指令信号，由数字控制器直接给定；Vbus为实时采样得到的直流母线电压信号，经过陷波器后滤出二倍频的纹波信号得到实时的母线电压直流分量，与做差输入给PI调节器GV得到输入电感电流的直流分量参考值；实时采样的电感电流信号iL经过陷波器后滤出二倍工频分量得到电感电流的直流分量，与电流信号的参考值做差输入给PI调节器GI即可得到系统的控制变量G；采用电压外环电流内环的传统双环控制方法对输入电感电流与直流母线电压的直流分量做了精确的控制； V F0为缓冲电容电压直流分量，由数字控制器直接给定；后级全控型逆变桥为开环控制，易得交流侧相位信息的信号sin2ωt；带入解耦计算公式获得占空比信号da和db；将占空比信号da和占空比信号db调制生成开关信号swa，swb，实现对于MOSFET功率管Qa和MOSFET功率管Qb的控制。

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