中芯南方集成电路制造有限公司杨振辉获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116325080B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103658.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由杨振辉;徐广州;李钊;李红娟设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的介质层；位于介质层内的栅极开口，所述栅极开口包括第一区和位于第一区上的第二区，所述第一区在衬底上具有第一投影，所述第二区在衬底上具有第二投影，所述第二投影的面积大于第一投影的面积，且所述第一投影在第二投影的范围内；位于第一区内和第二区内的栅极层。所述第二区的第二投影面积大于第一区的第一投影面积，从而所述栅极层易于在第一区内形成，所述半导体结构的性能得到了提升。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于衬底上的介质层； 位于介质层内的栅极开口，所述栅极开口包括第一区和位于第一区上的第二区，所述第一区在衬底上具有第一投影，所述第二区在衬底上具有第二投影，所述第二投影的面积大于第一投影的面积，且所述第一投影在第二投影的范围内，所述第二区侧壁凸出于所述第一区侧壁； 位于第一区内和第二区内的栅极层； 位于栅极层两侧的衬底内的源漏掺杂区，所述第二区在衬底上的第二投影与部分所述源漏掺杂区重合。
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