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龙图腾网获悉中国原子能科学研究院申请的专利一种用于射频离子源的高强度过滤磁场复合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116390314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310396063.2，技术领域涉及：H05H1/10；该发明授权一种用于射频离子源的高强度过滤磁场复合结构是由农竹杰;贾先禄;张贺;丁傲轩;郑侠;凌丽;管锋平;方明阳;马楚韵设计研发完成，并于2023-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于射频离子源的高强度过滤磁场复合结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于射频离子源的高强度过滤磁场复合结构，该复合结构由永磁铁阵列最底层的过滤磁铁阵列、以及布设在该过滤磁铁阵列下方的离子源引出结构吸极磁铁组成;所述永磁铁阵列布设于多峰场负氢离子源圆筒状离子源内腔体和离子源外腔体之间；所述过滤磁铁阵列用于将过滤场强最高处的位置调整于等离子体电极之前、使得快电子在到达离子源引出结构之前被充分过滤掉；所述离子源引出结构吸极磁铁用于在场强最高处和所述过滤磁铁阵列形成叠加磁场、过滤掉等离子体电极之前的快电子；本发明通过抬高过滤场使其最高处恰好处在引出结构之前，使得等离子电极上表面的快电子及时被过滤掉，由此使得面产生的负氢离子不会被快电子破坏，提高了产额。

本发明授权一种用于射频离子源的高强度过滤磁场复合结构在权利要求书中公布了：1.一种用于射频离子源的高强度过滤磁场复合结构，其特征在于：该复合结构由永磁铁阵列3最底层的过滤磁铁阵列3-1、以及布设在该过滤磁铁阵列3-1下方的离子源引出结构吸极磁铁4-3组成；所述永磁铁阵列3布设于多峰场负氢离子源圆筒状离子源内腔体1-2和离子源外腔体1-3之间；所述过滤磁铁阵列3-1用于将过滤场强最高处的位置调整于等离子体电极4-1之前、使得快电子在到达离子源引出结构4之前被充分过滤掉、且过滤磁场在轴向分布的厚度适中；所述离子源引出结构吸极磁铁4-3用于在场强最高处和所述过滤磁铁阵列3-1形成叠加磁场、过滤掉等离子体电极4-1之前的快电子；所述离子源引出结构吸极磁铁4-3还用于在等离子体电极4-1之后过滤掉进入离子源引出结构4的负氢离子中的慢电子；所述永磁铁阵列3包括沿着圆周方向间隔布设的、从顶层到底层的径向磁铁阵列、以及永磁铁阵列3最底层的切向磁铁阵列，所述最底层的切向磁铁阵列既是只保留最底层的切向磁铁、而去掉永磁铁阵列3最底层以上的切向磁铁阵列。

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