武汉大学袁荃获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种超薄非对称结构石墨烯分离膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116392974B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310386590.5，技术领域涉及：B01D69/02；该发明授权一种超薄非对称结构石墨烯分离膜及其制备方法与应用是由袁荃;杨雁冰;高智鹏设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超薄非对称结构石墨烯分离膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超薄非对称结构石墨烯分离膜及其制备方法，所述方法包括：获得石墨烯分离膜；将所述石墨烯分离膜在碱性水溶液中进行第一浸泡以对石墨烯纳米孔边缘的官能团进行活化，后冲洗，获得活化分离膜；将所述活化分离膜在氯乙酸溶液中进行第二浸泡，后加入氢氧化钠进行修饰反应，反应完成后冲洗，获得超薄非对称结构石墨烯分离膜。本发明中所制备的超薄非对称结构的石墨烯分离膜具有均一的孔径和超高的表面电荷密度，可应用于膜分离过程中的离子运输领域。
本发明授权一种超薄非对称结构石墨烯分离膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种超薄非对称结构石墨烯分离膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 将CVD法生长在铜箔上的石墨烯通过1M三氯化铁溶液刻蚀,后浸泡水洗，在石墨烯膜膜表面生长一层介孔氧化硅，通过氧气等离子体刻蚀，刻蚀中所用的压力为10Pa，功率为50W，随后通过10%HF溶液刻蚀除去介孔硅，后冲洗，获得石墨烯分离膜； 将所述石墨烯分离膜在碱性水溶液中进行第一浸泡以对石墨烯纳米孔边缘的官能团进行活化，后冲洗，获得活化分离膜； 将所述活化分离膜在氯乙酸溶液中进行第二浸泡，后加入氢氧化钠进行修饰反应，反应完成后冲洗，获得超薄非对称结构石墨烯分离膜。
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