太原理工大学张建国获国家专利权
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龙图腾网获悉太原理工大学申请的专利一种基于碳基芯片的真随机数产生装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116414353B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310205405.8,技术领域涉及:G06F7/58;该发明授权一种基于碳基芯片的真随机数产生装置是由张建国;牛晨丰;李一鸣;问文浩;崔延委;王云鹤设计研发完成,并于2023-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于碳基芯片的真随机数产生装置在说明书摘要公布了:本发明属于电子电路技术领域,具体涉及一种基于碳基芯片的真随机数产生装置,包括:宽带光噪声熵源、熵采集器,所述宽带噪声熵源用于产生宽带混沌噪声信号,所述熵采集器包括:采样保持电路,TIQ比较器:用于将采样结果转化为数字信号输出;独热码生成器用于将TIQ比较器输出的数字信号转换为独热码;编码器:用于将独热码转化为二进制码。本发明中熵采集器的各部分基于CNTFET工艺设计完成,降低了功耗。
本发明授权一种基于碳基芯片的真随机数产生装置在权利要求书中公布了:1.一种基于碳基芯片的真随机数产生装置,其特征在于,包括:宽带光噪声熵源、熵采集器,所述宽带光噪声熵源用于产生宽带混沌噪声信号,所述熵采集器包括: 采样保持电路:用于对所述宽带混沌噪声信号进行采样得到采样信号;所述采样保持电路包括: 第一场效应晶体管,第二场效应晶体管,电容; 第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的栅极连接时钟信号,源极连接宽带混沌光噪声信号,漏极输出采样信号,此外,漏极还通过电容接地; 所述第一场效应晶体管为N型碳纳米管场效应管,第二场效应晶体管为P型碳纳米管场效应管 TIQ比较器:包括多个并联的比较电路,用于将采样结果转化为数字信号输出,每路比较电路包括一个第一级联反相器,所述第一级联反相器为碳纳米管场效应晶体管搭建; 独热码生成器:用于将TIQ比较器输出的数字信号转换为独热码,包括第二级联反相器、多个异或门和反相器,每个所述异或门的两个输入端分别连接TIQ比较器的两个相邻输出端,每个所述异或门的输出端作为独热码生成器的一个输出端,反相器和第二级联反相器的输入端分别连接TIQ比较器的第一个和最后一个输出端,输出端分别作为独热码生成器的第一个和最后一个输出端;独热码生成器中,所述异或门包括第三场效应晶体管,第四场效应晶体管,第五场效应晶体管,第六场效应晶体管; 其中,第n个异或门中,第三场效应晶体管的源极连接TIQ比较器的第n-1个输出端,栅极与第四场效应晶体管的栅极连接TIQ比较器的第n个输出端,漏极与第四场效应晶体管的漏极、第五场效应晶体管的栅极、第六场效应晶体管的栅极连接;第四场效应晶体管的源极与第五场效应晶体管的源极连接,第五场效应晶体管的漏极与第六场效应晶体管的漏极连接并作为第n个异或门的输出;第六场效应晶体管的源极接地; 所述第三场效应晶体管和第六场效应晶体管为N型碳纳米管场效应管,第四场效应晶体管和第五场效应晶体管为P型碳纳米管场效应管 编码器:用于将独热码转化为二进制码。
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