TCL科技集团股份有限公司敖资通获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利化合物、发光器件及其制备方法与显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116425711B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111658679.X，技术领域涉及：C07D311/10；该发明授权化合物、发光器件及其制备方法与显示装置是由敖资通;严怡然;洪佳婷;杨帆;莫新娣;马松设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本化合物、发光器件及其制备方法与显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种化合物、发光器件及其制备方法与显示装置，所述化合物是由香豆素和或香豆素衍生物，与纳米金属氧化物配位连接获得的化合物；所述发光器件的制备方法包括制备电子传输层的步骤，在制备电子传输层的过程中，先制备电子传输材料层，电子传输材料层的材料包括所述化合物，然后采用第一光照条件处理电子传输材料层以获得电子传输前驱层，再在电子传输前驱层的一侧制备形成上层功能薄膜，上层功能薄膜制备完毕后，采用第二光照条件处理电子传输前驱层以获得电子传输层，具有操作方便、适用于工业化生产的优点。
本发明授权化合物、发光器件及其制备方法与显示装置在权利要求书中公布了：1.一种发光器件，其特征在于，包括： 阳极； 阴极，与所述阳极相对设置； 发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及 电子传输层，设置于所述发光层与所述阴极之间； 其中，所述电子传输层靠近所述阴极的一侧设有粗糙结构； 所述电子传输层的材料包括化合物，所述化合物具有下面通式Ⅰ所示的结构： Ⅰ 其中，所述X选自纳米ZnO，且所述纳米ZnO的金属原子与双键氧配位连接，所述纳米ZnO的粒径为2nm至15nm； R选自氢原子、氨基、羧基或烃基。
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