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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116426898B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310422945.1，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法是由常娟雄;王一;杨林安;黄永;卢灏;陈兴;吴勇;王东;韩超;陈财;龚子刚;万坤;董栩婷;邵语嫣;陆俊;薛荣宇;何祺伟;解靖飞;王亦飞;张畅设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长多孔氧化铝掩膜层；多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔贯穿多孔氧化铝掩膜层；在多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔内生长氮化铝填充层；去除氧化铝掩膜层；在氮化铝填充层内以及氮化铝填充层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层生长氮化镓外延层。本发明中的方法，将大量位错终止在氮化铝填充层与氮化镓缓冲层的界面处，提高生长于氮化镓缓冲层上的氮化镓外延层的质量。

本发明授权一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤： 在衬底上生长多孔氧化铝掩膜层；所述多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔贯穿所述多孔氧化铝掩膜层； 在所述多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔内生长氮化铝填充层； 去除所述氧化铝掩膜层； 在所述氮化铝填充层内以及所述氮化铝填充层上生长氮化镓缓冲层； 在所述氮化镓缓冲层生长氮化镓外延层； 所述在所述氮化铝填充层内以及所述氮化铝填充层上生长氮化镓缓冲层的步骤，包括： 依次在第一预设生长条件和第二预设生长条件下，在化学气相沉积设备内生长所述氮化铝填充层内和所述氮化铝填充层上的氮化镓缓冲层；所述第一预设生长条件中的第一生长温度低于所述第二预设生长条件中的第二生长温度，所述第一预设生长条件中的第一生长压强大于所述第二预设生长条件中的第二生长压强；所述第一生长温度在600℃～800℃之间，所述第二生长温度在900℃～1300℃之间，所述第一生长压强在300torr～500torr之间，所述第二生长压强在150torr～250torr之间； 所述在所述氮化镓缓冲层生长氮化镓外延层的步骤，具体包括： 在所述第二预设生长条件下，在化学气相沉积设备内生长所述氮化镓缓冲层上的氮化镓外延层； 所述在衬底上生长多孔氧化铝掩膜层的步骤，具体包括： 在所述衬底上生长铝薄膜； 对所述氧化铝掩膜层进行表面化学腐蚀处理； 对所述铝薄膜进行阳极氧化处理，得到具有盲孔阵列的氧化铝掩膜层； 对所述氧化铝掩膜层进行阳极氧化处理，以使所述盲孔朝向所述衬底延伸，得到所述多孔氧化铝掩膜层。

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