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龙图腾网获悉中国原子能科学研究院申请的专利一种用于射频负氢离子源的内置射频天线和制作工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116470264B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310396901.6，技术领域涉及：H01Q1/36；该发明授权一种用于射频负氢离子源的内置射频天线和制作工艺是由农竹杰;潘年衍;贾先禄;张贺;郑侠;凌丽;丁傲轩;颜利华;贾心琦;虞海波设计研发完成，并于2023-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于射频负氢离子源的内置射频天线和制作工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于射频负氢离子源的内置射频天线和制作工艺，该射频天线线圈数为2.5‑3.5圈，其圈径平均环绕直径为58mm；该内置射频天线的涂层为搪瓷结构，当该搪瓷结构同时满足涂层厚度为0.6‑0.7mm毫米、相对介电常数小于30、涂层电阻率大于45000Ω.cm的条件时，翘层电压逼近于0；该工艺方法包括：制作片状瓷釉；覆盖层浸搪；对具有覆盖层的铜胎天线进行烘干；烧制成品；将烘干的覆盖有釉料的铜胎天线放入熔烧炉中进行烧制，保温；取出成品，冷却至常温。重复2到4步骤，直至釉料层的厚度达到0.6‑0.7mm左右。本发明有效地解决了等离子体回轰天线的问题，且采用搪瓷涂层，成本较低，同时制作简单，且材料坚固，其密着性、抗冲击性及抗热急变性能优异。

本发明授权一种用于射频负氢离子源的内置射频天线和制作工艺在权利要求书中公布了：1.一种带有搪瓷涂层、用于射频负氢离子源的内置射频天线，该内置射频天线2用于一种脉冲模式多峰场内置天线式射频强流负氢离子源，该离子源能够产生强流脉冲负氢离子束流，其特征在于： 该内置射频天线2线圈圈数为2.5-3.5圈，其圈径平均环绕直径为58mm，两端的直线部分腿间距为25mm，线圈螺旋环绕部分的高度为40mm-50mm； 该内置射频天线2的涂层为搪瓷结构，当该搪瓷结构同时满足涂层厚度为0.6-0.7mm毫米、相对介电常数小于30、涂层电阻率大于45000Ω.cm的条件时，翘层电压逼近于0； 该搪瓷结构的釉料按照质量份包括以下的物质： 基釉95-105份、粘土4-8份、石英1-5份、尿素0.1-0.8份、亚硝0.1-0.5份、水45-55份； 该搪瓷结构为去除了用于着色的金属氧化物的搪瓷结构，用以减小涂层相对介电常数； 该搪瓷结构的介电击穿强度超过3kVmm。

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