中芯先锋集成电路制造(绍兴)有限公司赵朝珍获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯先锋集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利SRAM及片上系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116504290B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310292866.3，技术领域涉及：G11C11/411；该发明授权SRAM及片上系统是由赵朝珍设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本SRAM及片上系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种SRAM及片上系统，该SRAM在6TSRAM存储单元的两个存取晶体管上分别并联了一个额外的存取晶体管，可以增大读噪声容限SNMR，SRAM的保持噪声容限SNMH、写噪声容限SNMW和读噪声容限SNMR相对更加平衡，因此提高了SRAM的读写能力，且不会增加工艺复杂度。本发明的片上系统，由于采用了本发明的SRAM，性能得以提高。
本发明授权SRAM及片上系统在权利要求书中公布了：1.一种SRAM，其特征在于，所述SRAM具有存储阵列，且所述存储阵列中的最小存储单元包括： 第一至第二负载晶体管和第一至第二驱动晶体管，第一负载晶体管的漏极、第一驱动晶体管的漏极、第二负载晶体管的栅极和第二驱动晶体管的栅极均耦接到第一节点，第一负载晶体管的栅极、第一驱动晶体管的栅极、第二负载晶体管的漏极及第二驱动晶体管的漏极均耦接到第二节点，第一负载晶体管的源极和第二负载晶体管的源极均耦接第一电源，第一驱动晶体管的源极和第二驱动晶体管的源极均耦接第二电源； 第一至第四存取晶体管，第一存取晶体管的栅极和第二存取晶体管的栅极均耦接第一字线，第三存取晶体管的栅极和第四存取晶体管的栅极耦接第二字线，第一存取晶体管的源极和第三存取晶体管的源极均耦接第一位线，第一存取晶体管的漏极和第三存取晶体管的漏极均耦接第一节点，第二存取晶体管的源极和第四存取晶体管的源极均耦接第二位线，第二存取晶体管的漏极和第四存取晶体管的漏极均耦接第二节点。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯先锋集成电路制造(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号-17；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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