安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有层间激子跃迁层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116505376B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310350226.3，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种具有层间激子跃迁层的半导体激光元件是由李水清;请求不公布姓名;王星河;黄军;刘紫涵;张江勇;陈婉君;蔡鑫;陈三喜;蒙磊;季徐芳;胡志勇设计研发完成，并于2023-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有层间激子跃迁层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有层间激子跃迁层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域；为了解决目前氮化物半导体激光器存在缺陷问题；从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下波导层和有源层之间，以及上波导层和有源层之间均设置有层间激子跃迁层；所述层间激子跃迁层为Bi2WO6、C3N、CsPbBr3、BaFe2AsP2、CdI2‑WS2。本发明降低内部光学损耗，从而产生激子诱导增强激光器有源层的受激辐射，降低量子限制Stark效应，增强载流子在有源层的局域化，降低激光元件的激发阈值，增强限制因子和电激射增益，提升激光元件的光功率和斜率效率。
本发明授权一种具有层间激子跃迁层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种具有层间激子跃迁层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底1、下限制层2、下波导层3、有源层4、上波导层5、电子阻挡层6和上限制层7，其特征在于，所述下波导层3和有源层4之间，以及上波导层5和有源层4之间均设置有层间激子跃迁层8； 所述层间激子跃迁层8为Bi2WO6、C3N、CsPbBr3、BaFe2AsP2、CdI2-WS2、WSe2-MoS2的一种； 所述层间激子跃迁层8为包括异质结、量子阱、核壳结构、量子点、二维莫尔超晶格结构的二元组合、三元组合、四元组合、五元组合和六元组合中的一种； 所述层间激子跃迁层8的厚度为0.5～500nm。
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