中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所孙钱获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利高质量半导体薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116525406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210066452.4，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权高质量半导体薄膜及其制备方法和应用是由孙钱;黄应南;刘建勋;孙秀建;詹晓宁;高宏伟;杨辉设计研发完成，并于2022-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本高质量半导体薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高质量半导体薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：第一步骤，包括对硅衬底表面进行微纳图形化处理以获得图形化衬底；第二步骤，包括在所述图形化衬底上生长形成半导体材料薄膜；所述半导体材料薄膜由六方晶系半导体材料形成，并且所述第一步骤包括：在硅衬底表面形成多个多边形图形，并使所述多边形图形的任意一条边与所述硅衬底的晶向和所述半导体材料的晶向之中的任意一者之间的偏角均在15°以内。本发明实施例提出的制备方法，不仅可以有效降低位错缺陷密度和减小应力，而且制备工艺流程简单、成本低，且合并效果好、缺陷密度低、材料晶体质量好，尤其适用于大规模工业化生产。
本发明授权高质量半导体薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高质量半导体材料薄膜的制备方法，包括： 第一步骤，包括对硅衬底表面进行微纳图形化处理以获得图形化衬底； 第二步骤，包括在所述图形化衬底上生长形成半导体材料薄膜； 其特征在于，所述半导体材料薄膜由六方晶系半导体材料形成，并且所述第一步骤包括： 在硅衬底表面形成多个多边形图形，并使所述多边形图形的任意一条边与所述硅衬底的11-2晶向和所述半导体材料的10-10晶向之中的任意一者之间的偏角均在15°以内。
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