京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司刘祝凯获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利微流控基板、微流控芯片、芯片的制备方法及使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116547076B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280001143.7，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权微流控基板、微流控芯片、芯片的制备方法及使用方法是由刘祝凯;邓睿君;彭康;丁丁设计研发完成，并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本微流控基板、微流控芯片、芯片的制备方法及使用方法在说明书摘要公布了：一种微流控基板、微流控芯片、微流控芯片的制备方法和使用方法。该微流控基板100包括基板10，基板10包括阵列布置的多个微腔区域R，多个微腔区域R中的每一个包括彼此堆叠的第一部分R1和第二部分R2，第一部分R1的深度为x，并且第一部分R1包括形状为圆形且直径为D的顶部开口1012，顶部开口1012的直径D与深度x的关系大致为D＝2x+y，x的范围为20微米至400微米，y的范围为5微米至30微米。
本发明授权微流控基板、微流控芯片、芯片的制备方法及使用方法在权利要求书中公布了：1.一种微流控基板，包括基板，所述基板包括阵列布置的多个微腔区域，其中，所述多个微腔区域中的每一个包括彼此堆叠的第一部分和第二部分，所述第一部分的深度为x，并且所述第一部分包括形状为圆形且直径为D的顶部开口，所述顶部开口的直径D与所述深度x的关系为D=2x+y，y表示在所述微流控基板的刻蚀过程中使用的掩膜图案的暴露孔的直径，x的范围为20微米至400微米，y的范围为5微米至30微米， 其中， 所述第一部分为盲孔并且所述第一部分和所述第二部分彼此不贯穿，所述第一部分构成所述微流控基板的微腔；或者； 所述第二部分包括远离所述第一部分一侧的底部开口，所述第一部分和所述第二部分彼此贯穿构成通孔，所述通孔构成所述微流控基板的微腔，所述第二部分的深度为x1并且所述第二部分的底部开口的形状为圆形，所述底部开口的直径D1与所述深度x1的关系为D1=2x1+y。
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