苏州大学曹冰获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜及Micro-LED器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116555723B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310435656.5，技术领域涉及：C23C16/04；该发明授权一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜及Micro-LED器件的方法是由曹冰;李建洁;蔡鑫;陶佳豪设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜及Micro-LED器件的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜及Micro‑LED器件的方法。在氮化镓衬底上进行PECVD沉积反应得到石墨烯层，采用刻蚀工艺得到长条状排列或方块形呈矩阵排列的石墨烯掩膜结构图案；采用MOCVD外延工艺，在MOCVD生长过程中改变温度、压强、VIII等条件，有效调控氮化镓沿着窗口和掩膜分界的台阶成核；通过不同时间的侧向外延生长，得到较低位错密度的氮化镓薄膜，及性能优的Micro‑LED器件。
本发明授权一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜及Micro-LED器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤： 1在氮化镓衬底上进行PECVD沉积反应得到石墨烯层，采用刻蚀工艺得到长条状排列或方块形呈矩阵排列的石墨烯掩膜结构图案； 2采用MOCVD外延工艺，在TMGa通量为16.1sccm，NH3通量为24～32slm，VIII为6000～8000，压强为500Torr，温度为950～970℃的条件下，控制GaN沿方块形、或长条状石墨烯边界成核生长GaN岛； 3在TMGa通量为40sccm，NH3通量为80～100slm，VIII为8000～10000，压强为100～200Torr，温度为1050～1070℃的条件下，控制生长在石墨烯边界的GaN岛横向生长至合并，得到氮化镓薄膜。
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