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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种多模融合大频率比双频超材料吸波体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116565579B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310288962.0，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种多模融合大频率比双频超材料吸波体是由杨锐;赵东浩;张山芳设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多模融合大频率比双频超材料吸波体在说明书摘要公布了：本发明提出了一种多模融合大频率比独立双频超材料吸波体，其由K×K个谐振单元周期排列构成，每个谐振单元包括顶部棱台型吸透一体结构和底部亥姆霍兹谐振腔吸波结构；棱台型吸透一体结构包括方形第一介质基板、方形第二介质基板及其表面印制的金属贴片构成；底部亥姆霍兹谐振腔包括设置在板面为正方形的立方体金属结构上表面且呈十字交叉的两条矩形缝隙和位于立方体金属结构内部贯穿其前后侧面和左右侧面的截面呈等腰三角形的三棱柱腔，矩形缝隙与三棱柱腔填充介质材料。本发明实现了亥姆霍兹谐振模式与棱台型吸透一体模式结合的双频吸波并提高了双波段吸波的吸波频比，可用于大频率比双频天线阵列去耦领域。

本发明授权一种多模融合大频率比双频超材料吸波体在权利要求书中公布了：1.一种多模融合大频率比双频超材料吸波体，包括周期性排布的个谐振单元，；其特征在于：所述谐振单元包括个棱台型吸透一体结构1和层叠在其下方的低频吸波结构2，；所述棱台型吸透一体结构1包括方形第一介质基板11和位于其上板面中心位置的四棱台单元12，所述四棱台单元12采用由边长自下而上呈线性减小的个方形第二介质基板121层叠而成的棱台结构，；所述第二介质基板121的上表面印制有金属贴片122；所述低频吸波结构2采用设置有亥姆霍兹谐振腔的板面为正方形的立方体金属结构21，所述亥姆霍兹谐振腔包括设置在立方体金属结构21上表面且呈十字交叉的两条矩形缝隙，和位于立方体金属结构21内部贯穿其前后侧面和左右侧面的截面呈等腰三角形的两个十字交叉的三棱柱腔，两条矩形缝隙分别位于两个三棱柱腔的正上方并且与三棱柱腔的顶点相连，所述矩形缝隙和三棱柱腔内填充有介质材料； 所述棱台型吸透一体结构1，用于实现低频透波特性，并在低频吸波结构2的反射作用下实现高频宽带吸波特性；所述低频吸波结构2，用于实现低频吸波和高频反射特性； 所述亥姆霍兹谐振腔的谐振频率根据矩形缝隙和三棱柱腔的尺寸决定： ； 其中为真空中的光速，和分别为矩形缝隙的宽度和高度，和分别为三棱柱腔底面宽度和高度，为矩形缝隙和三棱柱腔所选取介质材料的相对介电常数。

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