四川大学吴可荆获国家专利权
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龙图腾网获悉四川大学申请的专利一种YSZ表面高分散镍-氧化硅颗粒的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116575011B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310415602.2，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种YSZ表面高分散镍-氧化硅颗粒的制备方法是由吴可荆;钟山;鲁厚芳;梁斌设计研发完成，并于2023-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种YSZ表面高分散镍-氧化硅颗粒的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在YSZ颗粒表面制备高分散镍‑氧化硅颗粒的方法，采用浸渍法将氧化镍负载在YSZ表面NiYSZ，通过化学气相沉积的方法在NiYSZ颗粒表面包覆一层均匀、致密的无定形SiO2薄膜，该薄膜与氧化镍紧密接触，经过1400℃高温煅烧后变成球形小颗粒均匀分散在YSZ骨架上。本发明制得的YSZ表面均匀分布的镍‑氧化硅颗粒可以有效抑制Ni在电池水热循环中的团聚情况，并显著提高电流密度。
本发明授权一种YSZ表面高分散镍-氧化硅颗粒的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种在YSZ颗粒表面沉积高分散镍-氧化硅颗粒的方法，包括： 1制备NiYSZ颗粒： 采用等体积浸渍法将镍负载在YSZ表面，浸渍完成后进行真空干燥、煅烧以及干燥处理，得到干燥NiYSZ颗粒备用； 2沉积前准备： 取干燥后的NiYSZ颗粒均匀分散在密封容器中，颗粒样品铺展厚度不大于2mm，取SiCl4注入密封容器的样品瓶中，并抽真空，完成沉积前准备； 3气相沉积： 将密封容器完全密封后，控制密封容器恒温反应，结束后将密封容器进一步抽真空，排出的气体通过NaOH溶液除去SiCl4； 4水解、煅烧： 向密封容器中通入空气至常压，利用水蒸气进行水解反应，反应结束后，取出NiYSZ颗粒，烘干后进行煅烧，即得到高分散镍-氧化硅颗粒。
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