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龙图腾网获悉宁波工程学院申请的专利一种ZnO/SiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116593537B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310291018.0，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种ZnO/SiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器及其制备方法是由王霖;黄海丽;张冬冬;陈善亮;高凤梅;胡丰;杨为佑设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种ZnO/SiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于传感器技术领域，涉及一种ZnOSiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器及其制备方法。本发明通过水热法在SiC纳米线表面原位生长ZnO纳米颗粒，且ZnOSiC纳米异质结的ZnO纳米颗粒团聚程度可控；本发明采用ZnO纳米颗粒生长时间为300‑1200min的ZnOSiC纳米异质结构作为高温乙醇传感器的气敏材料，ZnOSiC纳米异质的响应度明显高于单一ZnO纳米颗粒及单一SiC单晶纳米线制备的高温气敏传感器，具有较高的响应度。

本发明授权一种ZnO/SiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种ZnOSiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器，其特征在于，所述气敏传感器包括带有金电极的陶瓷管、加热丝、插片及负载于陶瓷管上的功能单元，所述功能单元为ZnOSiC纳米异质结； 所述传感器制备方法包括以下步骤： S1、制备ZnOSiC纳米异质结：将SiC单晶纳米线分散于NaOH溶液中，然后离心清洗获得羟基化的SiC单晶纳米线； 将羟基化SiC单晶纳米线放入水热反应系统，以六水硝酸锌、水和三乙醇胺作为生长ZnO纳米颗粒的前驱体，在SiC纳米线表面生长ZnO，从而获得ZnOSiC纳米异质结； S2、气敏传感器构建：将ZnOSiC纳米异质结和水研磨后均匀涂敷在陶瓷管上，经干燥、老化处理，再安装在金属氧化物气敏测试系统构建气敏传感器； 所述ZnO纳米颗粒的水热生长时间为660-780min； 水热反应温度为80-150℃； 所述SiC单晶纳米线的制备方法包括以下步骤： S1、将液态聚硅氮烷放入石墨坩埚中； S2、将负载有催化剂的碳纸衬底放置在石墨坩埚顶部； S3、将石墨坩埚放置于气氛烧结炉中，气氛烧结炉先抽真空至1-5Pa，然后通入高纯Ar保护气氛，在保护气氛下烧结，获得SiC纳米线。

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