上海芯圣电子股份有限公司张金弟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯圣电子股份有限公司申请的专利一种具备大功率可调输出功能的MCU芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116661542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310795428.9,技术领域涉及:G05F1/56;该发明授权一种具备大功率可调输出功能的MCU芯片是由张金弟;印俊明;杜立杰设计研发完成,并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具备大功率可调输出功能的MCU芯片在说明书摘要公布了:本发明公开了一种具备大功率可调输出功能的MCU芯片,涉及MCU芯片技术领域。所述电路包括有控制核电路单元、电流检测电路单元、模数转换电路单元、脉宽调制电路单元和大功率输出电路单元,其中,所述大功率输出电路单元包括有P型金氧半场效晶体管和功率输出引脚,该P型金氧半场效晶体管的栅极连接所述脉宽调制电路单元的脉宽调制信号输出端,该P型金氧半场效晶体管的漏极连接所述功率输出引脚,该P型金氧半场效晶体管的源极接入直流电压,并通过对前4个单元的功能设计,可通过计算出所需要的占空比来达到在不同输出电流和或不同输出电压下的所需功率,进而可实现拓展应用场景以及避免增加额外成本的目的,便于实际应用和推广。
本发明授权一种具备大功率可调输出功能的MCU芯片在权利要求书中公布了:1.一种具备大功率可调输出功能的MCU芯片,其特征在于,包括有控制核电路单元、电流检测电路单元、模数转换电路单元、脉宽调制电路单元和大功率输出电路单元,其中,所述大功率输出电路单元包括有第一P型金氧半场效晶体管PMOS1和功率输出引脚OUT,所述PMOS1的栅极连接所述脉宽调制电路单元的脉宽调制信号输出端PWMB,所述PMOS1的漏极连接所述功率输出引脚OUT,所述PMOS1的源极接入第一直流电压VMAX,所述PMOS1的宽度按照如下公式进行设计: 式中,表示针对1欧姆负载设计的最大输出功率值,表示所述PMOS1的长度,表示载流子迁移速率,表示单位面积栅氧化层容值,表示所述PMOS1的源极电压,表示所述PMOS1的栅极电压,表示所述PMOS1的开启电压; 所述电流检测电路单元的电流信号输入端连接所述功率输出引脚OUT,所述电流检测电路单元的电压信号输出端连接所述模数转换电路单元,所述电流检测电路单元用于通过所述电流信号输入端采集得到经过所述功率输出引脚OUT输出的电流信号,并将该电流信号转换为第二电压信号,然后通过所述电压信号输出端将所述第二电压信号传送至所述模数转换电路单元; 所述模数转换电路单元的电压信号输入端连接所述功率输出引脚OUT,所述模数转换电路单元的数字信号输出端连接所述控制核电路单元,所述模数转换电路单元用于通过所述电压信号输入端采集得到在所述功率输出引脚OUT上的第一电压信号,并对所述第一电压信号进行模数转换,采样得到输出电压值,以及对所述第二电压信号进行模数转换,采样得到输出电流值,然后通过所述数字信号输出端将同步采样得到的所述输出电压值和所述输出电流值传送至所述控制核电路单元; 所述控制核电路单元的第一控制信号输出端连接所述脉宽调制电路单元,所述控制核电路单元用于在获取可调的目标功率值后,根据所述目标功率值、所述输出电压值和所述输出电流值计算得到占空比,然后根据所述占空比向所述脉宽调制电路单元发送脉宽调制控制指令,以便控制所述脉宽调制电路单元输出具有所述占空比的脉宽调制信号,其中,所述占空比按照如下计算得到: 式中,表示所述占空比,表示所述目标功率值,表示所述输出电压值,表示所述输出电流值。
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