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龙图腾网获悉中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所;天津城建大学;北京长城航空测控技术研究所有限公司申请的专利基于中子辐照碳化硅吸收带边蓝移确定峰值温度及时长的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116678514B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310197062.5，技术领域涉及：G01K13/00；该发明授权基于中子辐照碳化硅吸收带边蓝移确定峰值温度及时长的方法及系统是由刘德峰;李欣;张守超;黄漫国;高云端;闫瑜设计研发完成，并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于中子辐照碳化硅吸收带边蓝移确定峰值温度及时长的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于中子辐照碳化硅吸收带边蓝移确定峰值温度及持续时长的方法，其包括以下步骤：S1、选择碳化硅晶体并对碳化硅晶体进行处理：对碳化硅晶体进行处理具体包括辐照、分割、退火及抛光处理；S2、确定碳化硅吸收带边；S3、确定退火温度与吸收带边的关系；S4、建立时长评估模型；S5、利用碳化硅晶体测量峰值温度以及峰值温度持续时长。本发明利用吸收带边蓝移能够实现峰值温度及峰值温度持续时长的评估，弥补了现有技术中无法测量峰值温度持续时长的空白，并且该温度传感晶体物化性质稳定，高温下不易发生化学反应，物相稳定，测量结果准确，可适用于多种高温场景温度测试。

本发明授权基于中子辐照碳化硅吸收带边蓝移确定峰值温度及时长的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于中子辐照碳化硅吸收带边蓝移确定峰值温度及持续时长的方法，其特征在于：其包括以下步骤： S1、选择碳化硅晶体并对碳化硅晶体进行处理：对碳化硅晶体进行处理具体包括辐照、分割、退火及抛光处理； S2、确定碳化硅吸收带边：通过分光光度计采集碳化硅晶体吸收光谱，根据采集的吸收光谱确定碳化硅的吸收带边； S3、确定退火温度与吸收带边的关系：测定所有退火温度下退火时长一定的碳化硅晶体的吸收带边λ1-n，并建立吸收带边与退火温度之间一一对应的关系，即吸收带边λ1-1对应退火温度TC-1、吸收带边λ1-2对应退火温度TC-2、吸收带边λ1-3对应退火温度TC-3，......吸收带边λ1-n对应退火温度TC-n，随退火温度增高，吸收带边向短波长方向蓝移； S4、建立时长评估模型，具体包括以下子步骤： S41、建立吸收带边与退火温度时长之间的关系曲线：测定退火温度TC-n下不同退火时长t的碳化硅晶体的吸收带边λ2-n，以λ2-n为纵坐标，以t为横坐标，绘制出固定退火温度TC-n下的吸收带边λ2-n随退火时长t变化的曲线； S42、根据步骤S41的曲线数据分布拟合建立λ2-n=ft多项式等温温度标定方程，即时长评估模型，根据时长评估模型，输入吸收带边λ2-n值，即可获取退火时长t，时长评估模型具体如下： λ2-n=ft=a+bt； 其中，a和b为拟合系数； S5、利用碳化硅晶体测量峰值温度以及峰值温度持续时长，具体包括以下子步骤： S51、确定峰值温度：将碳化硅晶体固定于待测温度目标位置，高温过程结束后测量碳化硅晶体的吸收带边λ3，并将测量的吸收带边λ3与所有退火温度下退火时长为2min的碳化硅晶体的吸收带边λ1-n进行比较，判断测量的吸收带边λ3的区间，根据测量的吸收带边λ3的区间得到该区间对应的高温峰值温度； S52、确定峰值温度持续时长：根据确定的峰值温度确定时长评估模型的拟合系数，将测量的吸收带边λ3作为输入值输入时长评估模型中并输出计算结果，将处于阈值范围内的输出值作为有效值即为峰值温度持续时长。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所;天津城建大学;北京长城航空测控技术研究所有限公司，其通讯地址为：101111 北京市朝阳区东环南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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