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龙图腾网获悉华中科技大学;深圳华中科技大学研究院申请的专利一种微环谐振器压力传感装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116698240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310700733.5，技术领域涉及：G01L1/24；该发明授权一种微环谐振器压力传感装置及其制备方法是由罗为;郭颖颖;王煜翔;乔海丰设计研发完成，并于2023-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微环谐振器压力传感装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种微环谐振器压力传感装置及其制备方法，包括基底、薄膜及微环谐振阵列；基底上开设有至少一个通孔，通孔两端贯穿基底两个端面；薄膜设置在基底的其中一个端面上，薄膜覆盖通孔的其中一端；至少一个微环谐振阵列设置在薄膜内，微环谐振阵列的微环对准通孔；在基底上开设通孔，并使跑道微环对准通孔，使微环下方悬空，当对器件上面施加载荷，基底上的薄膜会随之发生形变，依附于基底上的光学谐振结构也随之发生形变，从而使波导尺寸与相对折射率发生变化，最终引起输出谱线的偏移，通过检测输出谱线谐振波长的偏移量，就能够得到施加载荷的大小，其灵敏度较高。

本发明授权一种微环谐振器压力传感装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微环谐振器压力传感装置的制备方法，其特征在于：所述微环谐振器压力传感装置包括基底1、薄膜2、微环谐振阵列3及承托层4； 所述基底1上开设有至少一个通孔100，所述通孔100两端贯穿基底1两个端面； 所述薄膜2设置在基底1的其中一个端面上，所述薄膜2覆盖通孔100的其中一端； 至少一个微环谐振阵列3设置在所述薄膜2内，所述微环谐振阵列3的微环对准通孔100； 所述承托层4设置在基底1与薄膜2之间，所述承托层4托住薄膜2位于通孔100的部分； 包括以下步骤， 步骤一，基底1使用激光切割根据设计尺寸在相应位置进行挖空形成通孔100； 步骤二，使用三氯硅烷对完整硅片进行抗粘连处理，将三氯硅烷和硅片同时置于真空箱中进行抽真空处理，使三氯硅烷挥发至硅片表面，将抗粘连处理后的硅片与挖孔处理后的基底1从侧面用胶紧密固定在一起； 步骤三，利用旋涂法制作承托层4，将位于基底1挖孔一面的硅片朝上，匀胶机旋涂硅片表面得到的承托层4，其厚度为8um-10um；匀胶完成后在80℃的热板上进行固化；固化后在通孔100的四周滴胶与薄膜2相连；进行80℃固化后，接着进行100℃固化，待承托层4完全固化后将硅片与基底1剥离，在基底1正面再次进行旋涂；再次重复固化步骤后即可得到置于硅基带孔的基底1之上的悬空有机物承托层4； 步骤四，MEMS工艺制作硅基模具，首先在干净的硅片上匀涂一层光刻胶进行曝光；显影后，去离子水冲洗后用氮气枪吹干；进行刻蚀处理得到波导； 步骤五，通过纳米压印薄膜2的手段重复制作器件，将PDMS材料的A胶：B胶进行10：1配比，涂覆在硅模具上保证完全覆盖图形，150℃加热固化形成可重复利用的软膜；在已经制作好的带有承托层4的基底1上旋涂一层PS材料，然后将软膜压印在PS材料上，150℃固化并揭膜后承托层4上会具有薄膜2，薄膜2上形成有波导的图形结构； 步骤六，利用旋涂法制作防水膜层，聚二甲基硅氧烷KER-4690的AB胶1:1配置后，利用匀胶机进行旋涂工作，使光学谐振器表面覆盖一层防水膜层； 步骤七，液氮冷藏解离以及光纤阵列封装测试，在进行压印操作前，在基底1背面刻好解离道，液氮低温冷冻后裂片解离；解离后利用测试系统进行光学输出谱线测试后进行光纤阵列封装，通过位移平台将光纤和光波导31对准至最大功率，利用匹配液和紫外胶进行封装。

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