中国科学院上海微系统与信息技术研究所武震宇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利聚酰亚胺薄膜被动滤光器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116779207B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210226292.5，技术领域涉及：G21K3/00；该发明授权聚酰亚胺薄膜被动滤光器件及其制备方法是由武震宇;刘艺晨;王栎皓设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本聚酰亚胺薄膜被动滤光器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种聚酰亚胺薄膜被动滤光器件及其制备方法，该制备方法包括：提供半导体基底，并于半导体基底的正面依次形成介质层及聚酰亚胺薄膜层；于聚酰亚胺薄膜层上形成阻挡层；于阻挡层上形成第一图形化的光刻胶层，得到薄膜外轮廓的光刻图形；基于第一图形化的光刻胶层依次刻蚀阻挡层、聚酰亚胺薄膜层及介质层；于半导体基底的背面形成第二图形化的光刻胶层，得到薄膜内轮廓的光刻图形；基于第二图形化的光刻胶层采用深反应离子刻蚀工艺刻蚀半导体基底，形成刻蚀窗口；基于刻蚀窗口，采用干法刻蚀工艺去除介质层，得到聚酰亚胺薄膜被动滤光器件。采用该制备方法可有效提高聚酰亚胺薄膜的性能。
本发明授权聚酰亚胺薄膜被动滤光器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种聚酰亚胺薄膜被动滤光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供半导体基底，并于所述半导体基底的正面依次形成介质层及聚酰亚胺薄膜层； 于所述聚酰亚胺薄膜层上形成阻挡层，所述阻挡层与所述聚酰亚胺薄膜层协同实现对X射线以外的光线进行过滤； 于所述阻挡层上形成第一图形化的光刻胶层，得到薄膜外轮廓的光刻图形； 基于所述第一图形化的光刻胶层依次刻蚀所述阻挡层、所述聚酰亚胺薄膜层及所述介质层； 于所述半导体基底的背面形成第二图形化的光刻胶层，得到薄膜内轮廓的光刻图形； 基于所述第二图形化的光刻胶层采用深反应离子刻蚀工艺刻蚀所述半导体基底，形成刻蚀窗口； 基于所述刻蚀窗口，采用干法刻蚀工艺去除所述介质层，得到聚酰亚胺薄膜被动滤光器件。
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