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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种二维多孔硅及其制备方法与在锂电池中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116835594B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310837690.5，技术领域涉及：C01B33/02；该发明授权一种二维多孔硅及其制备方法与在锂电池中的应用是由冯金奎;耿娟设计研发完成，并于2023-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维多孔硅及其制备方法与在锂电池中的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维多孔硅及其制备方法与在锂电池中的应用，属于材料技术领域。将硅钙合金粉末在盐酸溶液中浸泡，反应完后抽滤，干燥得硅氧烯粉末；将硅氧烯粉末在真空环境中进行热处理，在加热过程中硅氧烯首先会被氧化成SiOx，SiOx在进一步的高温处理中会发生歧化反应生成均匀分布的二维SiSiO2；将二维SiSiO2在氢氟酸溶液中浸泡，氢氟酸会与SiO2反应，反应完全后，反复离心洗涤后，真空干燥，即得具有多孔结构的二维硅材料。本发明的制备方法简单可控、实用性强。通过本方法制备的二维多孔硅具有晶体结构和超薄的层状结构，用于锂离子电池中时可有效缓解负极材料的体积变化，并加快锂离子的扩散。

本发明授权一种二维多孔硅及其制备方法与在锂电池中的应用在权利要求书中公布了：1.一种二维多孔硅的制备方法，其特征在于，包括： 将硅钙合金粉末在酸性溶液中浸泡，抽滤、真空干燥后得硅氧烯粉末； 将所述硅氧烯粉末在真空环境中进行热处理得到二维SiSiO2；所述真空干燥的条件为温度60-80℃，时间8-12h，真空度0.2-0.5Pa；所述热处理为梯度升温；将所述二维SiSiO2在氢氟酸溶液中浸泡，离心，真空干燥，即得二维多孔硅材料；所述二维多孔硅材料具有晶体结构和超薄的层状结构； 所述梯度升温为：分别在300℃、400℃、900℃保温3h、2h、1h，或分别在300℃、800℃、900℃保温2h、2h、2h，或分别在300℃、800℃、1000℃保温2h、2h、2h，或分别在300℃、400℃、900℃保温3h、2h、3h，或分别在300℃、400℃、900℃保温3h、2h、6h，或分别在300℃、800℃、1000℃保温3h、2h、6h，或分别在300℃、800℃、900℃保温3h、2h、1h，或分别在300℃、800℃、900℃保温2h、2h、6h。

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