上海大学王廷云获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种O波段与E波段放大铋掺杂石英光纤及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116859502B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310291007.2，技术领域涉及：G02B6/02；该发明授权一种O波段与E波段放大铋掺杂石英光纤及制备方法是由王廷云;文建湘;陈艳;王伟琪;董艳华设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种O波段与E波段放大铋掺杂石英光纤及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种O波段与E波段放大铋掺杂石英光纤，光纤由外向内依次包括包层、疏松层和纤芯，所述包层是由比纤芯折射率低的纯石英构成；疏松层是掺杂GeO2和P2O3的石英疏松层；纤芯中掺杂有铋,纤芯的外层掺杂氧化铋，内层掺杂GeO2和P2O3.首先在基管内壁沉积GeO2和P2O3，然后沉积氧化铋，氧化铋沉积完毕后再次沉积GeO2和P2O3，最后缩棒拉丝成型。
本发明授权一种O波段与E波段放大铋掺杂石英光纤及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种O波段与E波段放大铋掺杂石英光纤的制备方法，其特征在于：首先在基管内壁沉积GeO2和P2O3，然后沉积氧化铋，氧化铋沉积完毕后再次沉积GeO2和P2O3，最后缩棒拉丝成型；利用原子层沉积技术掺杂氧化铋材料，利用原子层沉积技术结合改进化学气相沉积技术精确控制前驱体脉冲时间、热源温度、反应温度与气体流速，以调解掺杂氧化铋、氧化磷与氧化锗的沉积厚度与掺杂浓度；前驱体脉冲时10-100ms，热源温度为100-200℃，反应温度为180-300℃，气体流速控制在200-500sccm，沉积氧化铋的控制参数均采用微沉积为100-2000层，其中每个沉积循环在0.01-0.25nm；Bi离子浓度范围控制在0.003-0.006mol%；P离子浓度范围控制在0.5-15.0mol%；Ge离子浓度范围控制在0.1-5.0mol%。
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