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龙图腾网获悉新特能源股份有限公司;新特硅基新材料有限公司申请的专利还原炉控制方法、装置、电子设备及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116929094B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310818476.5，技术领域涉及：F27D19/00；该发明授权还原炉控制方法、装置、电子设备及可读存储介质是由王文;刘兴平;张兆东;仝少超;罗云;马东;陈娜娜;荣景豪设计研发完成，并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本还原炉控制方法、装置、电子设备及可读存储介质在说明书摘要公布了：本申请实施例提供的一种还原炉控制方法、装置、电子设备及可读存储介质，通过基于还原炉的雾化因子、速率因子、质量因子和成本因子来调节还原炉的氯硅烷流量、氯硅烷与氢气的流量比例和温度，又因为雾化因子、速率因子、质量因子和成本因子是基于还原炉的多个监测值确定的，因此相比基于单个监测值来调节还原炉，具有更可靠的调节依据，从而提高输入还原炉的氯硅烷流量、氯硅烷与氢气的流量比例和温度的调节准确度。

本发明授权还原炉控制方法、装置、电子设备及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种还原炉控制方法，其特征在于，所述方法包括： 获取所述还原炉处于不同时刻的监测值，每一时刻的所述监测值包括：电压、电阻、功率、炉内温度、尾气温度、冷却水温度、雾化值、硅棒温度、硅棒直径、硅棒表面粗糙度、硅棒孔隙率、氯硅烷流量和氯硅烷与氢气的流量比例； 基于所述雾化值，根据所述电压、所述硅棒温度、所述尾气温度和所述冷却水温度中的至少一项的变化率，确定雾化因子； 在所述雾化因子不等于零的情况下，根据所述炉内温度、所述氯硅烷流量、所述氯硅烷与氢气的流量比例和所述雾化因子，计算氯硅烷的第二流量、氯硅烷与氢气的第二流量比例和还原炉的第二温度； 以所述第二流量向所述还原炉输入氯硅烷且按照所述氯硅烷与氢气的第二流量比例向所述还原炉输入氯硅烷和氢气的情况下，控制所述还原炉以所述第二温度运行； 在所述雾化因子等于零的情况下，基于所述电压、所述功率、所述电阻、所述硅棒直径、所述硅棒表面粗糙度、所述硅棒孔隙率、所述氯硅烷流量和所述氯硅烷与氢气的流量比例中的至少两项，确定速率因子、质量因子和成本因子； 根据所述炉内温度、所述氯硅烷流量、所述氯硅烷与氢气的流量比例、所述速率因子、所述质量因子和所述成本因子，计算氯硅烷的第一流量、氯硅烷与氢气的第一流量比例和还原炉的第一温度，所述根据所述炉内温度、所述氯硅烷流量、所述氯硅烷与氢气的流量比例、所述速率因子、所述质量因子和所述成本因子，计算氯硅烷的第一流量、氯硅烷与氢气的第一流量比例和还原炉的第一温度包括：根据所述氯硅烷与氢气的流量比例、所述速率因子、所述质量因子和所述成本因子，计算氯硅烷与氢气的第一流量比例；根据所述氯硅烷流量、所述速率因子、所述质量因子和所述成本因子，计算氯硅烷的第一流量；根据所述炉内温度、所述速率因子、所述质量因子和所述成本因子，计算还原炉的第一温度； 在以所述第一流量向所述还原炉输入氯硅烷且按照所述氯硅烷与氢气的第一流量比例向所述还原炉输入氯硅烷和氢气的情况下，控制所述还原炉以所述第一温度运行； 在所述雾化因子不等于零的情况下，根据所述炉内温度、所述氯硅烷流量、所述氯硅烷与氢气的流量比例和所述雾化因子，计算氯硅烷的第二流量、氯硅烷与氢气的第二流量比例和还原炉的第二温度； 以所述第二流量向所述还原炉输入氯硅烷且按照所述氯硅烷与氢气的第二流量比例向所述还原炉输入氯硅烷和氢气的情况下，控制所述还原炉以所述第二温度运行； 其中，所述雾化因子是表征还原炉内雾化程度的值；所述速率因子是表征还原炉内多晶硅生长速率快慢程度的值；所述质量因子是表征还原炉内生成的多晶硅的质量好坏程度的值；所述成本因子是表征还原炉的能耗和物料消耗高低程度的值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新特能源股份有限公司;新特硅基新材料有限公司，其通讯地址为：831500 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市甘泉堡经济技术开发区(工业园)众欣街2249号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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