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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116949420B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310429396.0，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺是由彼得·J·盖尔西奥;保罗·维斯特法尔设计研发完成，并于2018-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷DMS作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅SiC来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及其用于制造以下项的用途：用于高温应用、基座和反应器的制品，半导体材料和晶片。

本发明授权用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺在权利要求书中公布了：1.一种制造涂覆碳化硅的主体的方法，所述涂覆碳化硅的主体包括至少两个不同密度的碳化硅层，所述方法包括以下步骤： A将多孔石墨基板定位在工艺腔室中，所述多孔石墨基板具有开口孔隙率和9％至11.5％的孔隙度； B在存在H2气流的情况下在大气压力下将所述工艺腔室中的所述多孔石墨基板加热到在1000℃至1200℃的范围内的温度； B-2将二甲基二氯硅烷和H2的混合物引入到所述工艺腔室中达至少30分钟，以在所述多孔石墨基板的孔中形成实质上四面体结晶碳化硅材料，所述实质上四面体结晶碳化硅材料呈以至少50μm长度延伸到所述多孔石墨基板中的卷须的形式； C通过在1100℃至1150℃的温度下将二甲基二氯硅烷和H2的混合物引入到所述工艺腔室中，以在所述工艺腔室中向所述工艺腔室提供第一量的二甲基二氯硅烷，以在第一沉积阶段中沉积结晶碳化硅晶粒以形成第一碳化硅涂层，在所述第一沉积阶段期间所述第一碳化硅涂层设置在所述多孔石墨基板的表面上，其中呈卷须的形式的所述实质上四面体结晶碳化硅材料从所述第一碳化硅涂层延伸到所述多孔石墨基板中；和 D增加或减少所述工艺腔室中的二甲基二氯硅烷的量，并通过将二甲基二氯硅烷和H2的混合物引入到所述工艺腔室中，以在所述工艺腔室中向所述工艺腔室提供第二量的二甲基二氯硅烷，以在第二沉积阶段中沉积结晶碳化硅晶粒以形成第二碳化硅涂层，所述第二碳化硅涂层设置在涂覆碳化硅的石墨基板上，其中所述第一碳化硅涂层的特征在于晶体大小不同于所述第二碳化硅涂层的晶体大小。

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