中国原子能科学研究院边天剑获国家专利权
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龙图腾网获悉中国原子能科学研究院申请的专利一种桌面型回旋加速器主磁铁结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116963372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311110351.3，技术领域涉及：H05H7/04；该发明授权一种桌面型回旋加速器主磁铁结构是由边天剑;安世忠;邢建升;管锋平;魏素敏;王飞;陆锦荣;郑侠;陈忻禹;冀鲁豫设计研发完成，并于2023-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种桌面型回旋加速器主磁铁结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种桌面型回旋加速器主磁铁结构，该主磁铁结构采用小磁气隙与浅谷区相结合的结构、采用非直线的磁极结构、采用角度变化的倒角垫补结构、采用主磁铁盖板局部加厚漏磁抑制结构；该小磁气隙与浅谷区相结合提高了平均磁场；该非直线的磁极结构用于通过增加磁极的角宽度弥补高频通孔带来的磁场降低、使得磁场满足等时性加速需求；该角度变化的倒角垫补结构用于使得垫补量与磁场改变量之间有更好的线性关系，有利于磁场垫补的精确估算；该盖板局部加厚漏磁抑制结构用于在保证漏磁达标的情况下，尽量少增加主磁铁重量。本发明解决了中心平面距离上盖板过近而造成的漏磁场和磁场下降的问题，解决了磁极张角变大挤占高频腔安装空间的问题。
本发明授权一种桌面型回旋加速器主磁铁结构在权利要求书中公布了：1.一种桌面型回旋加速器主磁铁结构，其特征在于：该主磁铁结构采用小磁气隙与浅谷区相结合的结构、采用非直线的磁极结构、采用角度变化的倒角垫补结构、采用主磁铁盖板局部加厚漏磁抑制结构；所述小磁气隙与浅谷区相结合的结构用于实现小型化桌面回旋加速器需要提高平均磁场的需求；所述非直线的磁极结构用于通过增加磁极的角宽度弥补高频通孔带来的磁场降低、使得磁场满足等时性加速需求；所述角度变化的倒角垫补结构用于使得垫补量与磁场改变量之间有更好的线性关系，有利于磁场垫补的精确估算；所述的盖板局部加厚漏磁抑制结构用于在保证漏磁达标的情况下，尽量少增加主磁铁重量； 所述主磁铁采用非直线的磁极结构，即在高频通孔位置处磁极角宽度有一定程度的局部增大，通过增加磁极的角宽度弥补了高频通孔带来的磁场降低，使磁场满足等时性加速需求。
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