中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司石强获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利光电传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116978972B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210433912.2，技术领域涉及：H10F30/20；该发明授权光电传感器及其形成方法是由石强;高长城设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：一种光电传感器及其形成方法，光电传感器包括：像素基底，包括相对的第一表面和第二表面，像素基底包括感光区和位于感光区侧部的引线区，感光区包括阵列排布的像素单元区；介质层，位于第二表面上；互连层，位于引线区的介质层内，互连层与待互连的像素单元区实现电连接；底部硬掩膜层，位于介质层内，底部硬掩膜层位于互连层和第二表面之间，底部硬掩膜层中形成有第一开口；第二开口，位于第一表面的一侧，且贯穿底部硬掩膜层上的像素基底和介质层，所述第二开口的底部尺寸大于所述第一开口的底部尺寸。本发明实施例有利于提高光电传感器的性能。
本发明授权光电传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种光电传感器，其特征在于，包括： 像素基底，包括相对的第一表面和第二表面，所述像素基底包括感光区和位于所述感光区侧部的引线区，所述感光区包括阵列排布的像素单元区； 介质层，位于所述第二表面上； 互连层，位于所述引线区的介质层内，所述互连层与待互连的所述像素单元区实现电连接； 底部硬掩膜层，位于所述介质层内，所述底部硬掩膜层位于所述互连层和第二表面之间，所述底部硬掩膜层中形成有第一开口； 第二开口，位于所述第一表面的一侧，且贯穿所述底部硬掩膜层上的像素基底和介质层，所述第二开口的底部尺寸大于所述第一开口的底部尺寸； 第三开口，贯穿所述第一开口底部的介质层、并露出所述互连层，所述第二开口、第一开口和第三开口相通且构成开口； 焊垫层，位于所述开口的底部且与所述互连层相接触。
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