TCL科技集团股份有限公司闫晓林获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116981327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210420939.8，技术领域涉及：H10K85/10；该发明授权一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置是由闫晓林;侯文军;杨一行设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置，空穴传输薄膜包括第一聚合物和第二聚合物；第一聚合物是由含芴的基团和含三苯胺的基团形成的嵌段共聚物；第二聚合物是由含芴的基团、含三苯胺的基团和自交联基团形成的嵌段共聚物，并且第二聚合物中的氢原子全部或者部分被氟原子取代。本申请的空穴传输薄膜靠近顶层主要是第二聚合物，第二聚合物中的交联结构，具有更好的抗溶剂性，可以防止发光层的材料成分渗透至空穴传输薄膜中，从而可以减少两者发生界面互溶的情况，以提高器件的电流效率。
本发明授权一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种空穴传输薄膜，其特征在于，所述空穴传输薄膜包括第一聚合物和第二聚合物； 所述第一聚合物是由含芴的基团和含三苯胺的基团形成的嵌段共聚物； 所述第二聚合物是由含芴的基团、含三苯胺的基团和自交联基团形成的嵌段共聚物，并且所述第二聚合物中的氢原子全部或者部分被氟原子取代； 所述第二聚合物中含三苯胺的基团在所述第二聚合物中的摩尔分数小于所述第一聚合物中含三苯胺的基团在所述第一聚合物中的摩尔分数； 从所述空穴传输薄膜的一面到另一面，所述第二聚合物的含量递增或递减。
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