买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种基于磁耦合的宽带压控振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116996021B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211312211.X，技术领域涉及：H03B5/18；该发明授权一种基于磁耦合的宽带压控振荡器是由肖亦成;郭春炳;孔祥键;严家树;林鑫;邱鼎;陈思宇;简明朝;孙博设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于磁耦合的宽带压控振荡器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于磁耦合的宽带压控振荡器，包括：负阻电路、开关屏蔽式变压器、开关电容电路、varactor电路、LC谐振腔电路、模式切换开关电路和输出缓冲电路；LC谐振腔电路包括开关屏蔽式变压器、调谐电容CT和固定电容Cfix，其中有两个LC谐振腔，一个LC谐振腔由L11、L12、两组开关电容、两组Cfix和一组varactor并联组成，称为L1C1谐振腔；另一个LC谐振腔由L21、L22、两组开关电容、一组varactor并联组成，称为L2C2谐振腔；通过切换模式开关和开关屏蔽式变压器这两种磁耦合方式实现宽调谐范围。本发明提供一种基于磁耦合的宽带压控振荡器，本发明的目的是提供一种基于磁耦合的宽带压控振荡器，用于解决实现宽频率调谐范围的同时不恶化相位噪声的技术问题。

本发明授权一种基于磁耦合的宽带压控振荡器在权利要求书中公布了：1.一种基于磁耦合的宽带压控振荡器，其特征在于，包括：负阻电路、开关屏蔽式变压器、模式切换开关电路、LC谐振腔电路、输出缓冲电路，其中：负阻电路包括四对NMOS管MN1和MN2、MN3和MN4、MN5和MN6、MN7和MN8分别交叉耦合产生有源负阻；NMOS管产生的有源负阻为-Gmn，有源负阻大于谐振回路的电阻产生的损耗时，VCO满足振荡条件； LC谐振腔电路包括开关屏蔽式变压器、调谐电容CT和固定电容Cfix，其中有两个LC谐振腔，一个LC谐振腔由L11、L12、两组开关电容、两组Cfix和一组varactor并联组成，称为L1C1谐振腔；另一个LC谐振腔由L21、L22、两组开关电容、一组varactor并联组成，称为L2C2谐振腔； 开关屏蔽式变压器包括MOS管MA1、MB1、MC1、MA2、MB2、MC2、抽头电感L11、L21、LA1、LB1、LC1、L12、L22、LA2、LB2、LC2； 抽头电感LA1、抽头电感LB1和抽头电感LC1分别于与串联MOS管MA1、MOS管MB1和MOS管MC1放在抽头电感L11和抽头电感L21的中间、左边和右边；当MOS管MA1打开时，抽头电感L11中的电流i11在抽头电感LA1中感应出一个电流iA1，在抽头电感L21中感应出另一个电流i21；同时iA1也在L21中感应出另一个电流iA21，它倾向于抵消i21并减少L21中的总感应电流，通过控制MA1、MB1和MC1导通和关断来改变L11和L21之间的等效耦合系数k12； LA2、LB2、LC2分别与串联MOS管MA2、MB2和MC2放在电感L12和L22的中间、左边和右边；当MA2打开时，L12中的电流i12在LA2中感应出一个电流iA2，在L22中感应出另一个电流i22；同时iA2也在L22中感应出另一个电流iA22，它倾向于抵消i22并减少L22中的总感应电流，通过控制MA2、MB2和MC2导通和关断来改变L12和L22之间的等效耦合系数k12'； 当SW_FH1为高电平，SW_FL1为低电平时，VO1_P12和VO1_N12相位相反，其中，VO1_P1是L1C1谐振腔上半部分的正输出端口，VO1_N1是L1C1谐振腔上半部分的负输出端口，VO1_P2是L1C1谐振腔下半部分的正输出端口，VO1_N2是L1C1谐振腔下半部分的负输出端口；假设L1C1谐振腔原谐振腔等效电感为L01，该谐振腔等效电感为L01-M1，M1为互感，L1C1谐振腔的谐振频率变高；其中，SW_FH1为MP5和MP8的栅极电压；SW_FL1为MP6和MP7的栅极电压；SW_FH2为MP9和MP12的栅极电压；SW_FL2为MP10和MP1的栅极电压， 当SW_FH1为低电平，SW_FL1为高电平时，VO1_P12和VO1_N12相位相同，其中，VO2_P1是L2C2谐振腔上半部分的正输出端口，VO2_N1是L2C2谐振腔上半部分的负输出端口，VO2_P2是L2C2谐振腔下半部分的正输出端口，VO2_N2是L2C2谐振腔下半部分的负输出端口此时L1C1谐振腔等效电感为L01+M1+2LCM1，LCM1为电感L11、L12抽头看到的共模电感，L1C1谐振腔的谐振频率变低；当SW_FH2为高电平，SW_FL2为低电平时，VO2_P12和VO2_N12相位相反，假设L2C2谐振腔原等效电感为L02，L2C2谐振腔等效电感为L02-M2，M2为互感，L2C2谐振腔的谐振频率变高； 当SW_FH2为低电平，SW_FL2为高电平时，VO2_P12和VO2_N12相位相同，此时L2C2谐振腔等效电感为L02+M2+2LCM2，LCM2为电感L21、L22抽头看到的共模电感，L2C2谐振腔的谐振频率变低。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东工业大学，其通讯地址为：510000 广东省广州市越秀区东风东路729号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。