TCL科技集团股份有限公司侯文军获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116997232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210419136.0，技术领域涉及：H10K85/10；该发明授权一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置是由侯文军;杨一行设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置，空穴传输薄膜的材料包括第一聚合物和第二聚合物；第一聚合物是导电高分子材料；第二聚合物是包括第一嵌段和第二嵌段的嵌段聚合物，第一嵌段是由含芴的基团和含苯胺的基团形成的共聚嵌段，第二嵌段是由含芴的基团和含苯胺的基团形成的共聚嵌段，并且第二嵌段中含苯胺的基团连接有给电子基团；第二聚合物中的氢原子全部或者部分被氟原子取代。本申请的空穴传输薄膜，主要位于顶层的第二聚合物中含有给电子基团，可以提高空穴传输薄膜顶层的LUMO能级，增加了电子从发光材料层跃迁到空穴传输层的难度，从而可以降低空穴传输层的老化速率。
本发明授权一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种空穴传输薄膜，其特征在于，所述空穴传输薄膜包括第一聚合物和第二聚合物； 所述第一聚合物是导电高分子材料，所述导电高分子材料为聚苯胺、聚噻吩、聚芴或者由聚苯胺、聚噻吩、聚芴中至少两种形成的共聚物； 所述第二聚合物是包括第一嵌段和第二嵌段的嵌段聚合物，所述第一嵌段是由含芴的基团和含苯胺的基团形成的共聚嵌段，所述第二嵌段是由含芴的基团和含苯胺的基团形成的共聚嵌段，并且所述第二嵌段中含苯胺的基团连接有给电子基团； 所述第二聚合物中的氢原子全部或者部分被氟原子取代； 沿所述空穴传输薄膜的厚度方向，从一面到另一面，所述第二聚合物的含量递增或递减。
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