TCL科技集团股份有限公司侯文军获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116997233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210420936.4，技术领域涉及：H10K85/10；该发明授权一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置是由侯文军;杨一行;闫晓林设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置，空穴传输薄膜的材料包括嵌段共聚物和交联化合物；嵌段共聚物包括含芴的基团、含苯胺的基团和含第一交联基团的基团；交联化合物包括主链，以及至少两个与主链连接的第二交联基团，并且交联化合物中的氢原子全部或者部分被氟原子取代，第二交联基团与第一交联基团进行交联反应。本申请的空穴传输薄膜靠近空穴注入层一侧是以非交联结构为主，靠近发光层一侧是交联结构为主，从而可以减少空穴传输薄膜与发光层发生界面互溶的情况，从而可以提高光电器件的电流效率。
本发明授权一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种空穴传输薄膜，其特征在于，所述空穴传输薄膜包括嵌段共聚物和交联化合物； 所述嵌段共聚物包括含芴的基团、含苯胺的基团和含第一交联基团的基团； 所述交联化合物包括主链，以及至少两个与所述主链连接的第二交联基团，并且所述交联化合物中的氢原子全部或者部分被氟原子取代，所述第二交联基团与所述第一交联基团进行交联反应，以使所述嵌段共聚物形成交联结构； 沿所述空穴传输薄膜的厚度方向，从一面到另一面，所述交联化合物的含量递增或递减； 所述交联化合物的通式为： —R—R10 其中，R为C1~C20的烷基，或者R为C1~C20的烷基，并且至少一个碳原子被杂原子取代，当有多个碳原子被杂原子取代时，所述杂原子位于非相邻位； 和R10为相同或不同的第二交联基团。
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