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龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利7nm及以下节点WET制程颗粒监控用途硅抛光片的加工工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117001429B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310872777.6，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权7nm及以下节点WET制程颗粒监控用途硅抛光片的加工工艺是由王鸣设计研发完成，并于2023-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本7nm及以下节点WET制程颗粒监控用途硅抛光片的加工工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及一种7nm及以下节点WET制程颗粒监控用途硅抛光片的加工工艺，所属半导体用硅抛光片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：推测抛光过程和反复清洗过程中形成线型隆起状缺陷。第二步：硅片经CMP抛光及CMP后洗净后进行高温氩气氛短时退火，然后反复清洗20次，每清洗5次检测一次SP7。第三步：硅片经CMP抛光及CMP后洗净后直接进行20次反复清洗，每清洗5次检测一次SP7。第四步：对实验工艺和参照工艺中LLS的变化量进行比较。第五步：快速退火对消除抛光导致的微应力是有效的。第六步：将实验工艺后的硅片进行颗粒、微粗糙度、体金属的检测，退火前后19nmLLS无显著增加。够在芯片端的WET制程中能够经受多次返洗而不会发生颗粒水平的显著恶化。

本发明授权7nm及以下节点WET制程颗粒监控用途硅抛光片的加工工艺在权利要求书中公布了：1.一种7nm及以下节点WET制程颗粒监控用途硅抛光片的加工工艺，其特征在于包括如下操作步骤： 第一步：对于反复清洗后出现线型隆起状缺陷大量增多的现象，推测这是抛光过程中机械摩擦作用造成的硅片亚表面的残余应力所致，在反复清洗过程中，残余应力会造成应力区域与无应力区域在腐蚀速率方面的差异，从而形成线型隆起状缺陷； 第二步：硅片经CMP抛光及CMP后洗净后进行高温氩气氛短时退火，然后反复清洗20次，每清洗5次检测一次SP7，通过高温氩气氛短时退火的目的是消除CMP抛光造成的残余微应力，该过程为实验工艺； 第三步：硅片经CMP抛光及CMP后洗净后直接进行20次反复清洗，每清洗5次检测一次SP7，该过程为参照工艺； 第四步：对实验工艺和参照工艺中LLS的变化量进行比较，参照工艺未经退火的硅片经反复清洗5次、10次、15次、20次后的LLS数量逐渐增加且增量显著，而实验工艺经过快速退火的样品经反复清洗后19nmLLS保持恒定； 第五步：通过实验工艺和参照工艺的对比，确认抛光硅片反复清洗后线型隆起状缺陷的增加是由于微应力区与正常区域在反复清洗过程中的刻蚀速率不同导致的，而快速退火对消除抛光导致的微应力是有效的； 第六步：将实验工艺后的硅片进行颗粒、微粗糙度、体金属的检测，退火前后19nmLLS无显著增加。

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