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龙图腾网获悉浙江工业大学申请的专利一种平面非连续剪切增稠SiC研抛一体抛光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117020929B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310782998.4，技术领域涉及：B24B37/10；该发明授权一种平面非连续剪切增稠SiC研抛一体抛光装置是由陈珍珍;武霁旋;齐欢;张飞龙;丁杰;陶麒羽设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种平面非连续剪切增稠SiC研抛一体抛光装置在说明书摘要公布了：本发明属于硬脆材料研磨抛光技术领域，具体涉及一种平面非连续剪切增稠SiC研抛一体抛光装置，包括工作台、抛光盘组件、抛光头组件，抛光盘组件包括抛光盘主体、抛光盘驱动机构、恒压供液机构和抛光垫，抛光盘主体的中心部位内置中心分液腔，抛光盘主体的上表面以中心分液腔为中心内外设置若干圈环形的抛光液贮藏槽。本发明解决了SiC衬底平面研磨抛光流程长成本高，表面粗糙等问题，在相对剪切速率较高时，剪切增稠抛光液发生剪切增稠现象，实现SiC衬底的研磨工序，在相对剪切速率较低时，实现SiC衬底的抛光工序，从而获得低损伤的SiC衬底，为后续CMP工序提供更好的衬底。

本发明授权一种平面非连续剪切增稠SiC研抛一体抛光装置在权利要求书中公布了：1.一种平面非连续剪切增稠SiC研抛一体抛光装置，包括工作台400及设置于工作台400上的抛光盘组件200和抛光头组件100，其特征在于，所述抛光盘组件200包括抛光盘主体220、抛光盘驱动机构、恒压供液机构210和抛光垫221a，所述抛光盘主体220的中心部位内置中心分液腔222，抛光盘主体220的上表面以中心分液腔222为中心内外设置若干圈环形的抛光液贮藏槽224，相邻抛光液贮藏槽224之间通过设置的第一分液孔225连通，中心分液腔222与相邻抛光液贮藏槽224之间通过设置的第二分液孔227连通，所述抛光盘驱动机构用以驱动抛光盘主体220旋转，所述恒压供液机构用以为中心分液腔222供液，所述抛光垫221a盖住所有抛光液贮藏槽224； 所述抛光盘主体220中，相邻抛光液贮藏槽224之间环布多个第一分液孔225，中心分液腔222与相邻抛光液贮藏槽224之间环布多个第二分液孔227；所有抛光液贮藏槽224的底部位置自内向外逐渐降低； 所述抛光盘主体220的底部设置废液收集桶260，抛光盘主体220的上表面设置以中心分液腔222为中心的环形的废液收集槽226，所述废液收集槽226通过设置的废液收集流道228连通至废液收集桶260，所述废液收集槽226位于最外圈抛光液贮藏槽224的外层，两者之间通过溢流口229连通。

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